| 主权项 |
1.一种藉由烧钛酸钡粉末所获得到之介电陶瓷, 该钛酸钡粉末之钙钛矿结构中之c-轴/a-轴比率不 小于1.000且小于1.003,而其晶格中的OH基的含量则为 2.0重量%或更低。2.如申请专利范围第1项之介电陶 瓷,其中该钛酸钡粉末之最大粒度不大于0.3微米, 而其平均粒度为0.05至0.15微米。3.如申请专利范围 第1项之介电陶瓷,其中该钛酸钡粉末之个别颗粒 包含一低结晶度部分和一高结晶度部分,而且其低 结晶度部分的直径是该粉末粒度的0.5倍或更高。4 .如申请专利范围第1项之介电陶瓷,其中定义成(介 电陶瓷平均晶粒大小)/(所提供之钛酸钡粉平均粒 度)之比率値R是在0.90至1.2之中。5.如申请专利范 围第1项之介电陶瓷,其中构成介电陶瓷的晶粒具 有一核心_外壳结构,其核心与外壳之间的组成与 晶系不同。6.如申请专利范围第1项之介电陶瓷,其 中该介电陶瓷中的晶粒具有一具备均匀组成及晶 系之均质结构。7.一种介电陶瓷的制造方法,其包 括提供一种钛酸钡粉末的步骤,此钛酸钡粉末之钙 钛矿结构中之c-轴a-轴比率不小于1.000而小于1.003, 并且其晶格中OH基的含量不高于2.0重量%;以及烧 钛酸钡粉末的步骤。8.如申请专利范围第7项之介 电陶瓷的制造方法,其中于提供一钛酸钡粉的步骤 中,提供了一钛酸钡粉末,其最大粒度不大于0.3微 米,而其平均粒度则在0.05至0.15之间。9.如申请专 利范围第7项之介电陶瓷的制造方法,其中于提供 一钛酸粉末的步骤中,个别的钛酸钡粉末颗粒包含 一低结晶度部分和一高结晶度部份,而其低结晶度 部分的直径为该粉末颗粒的0.5倍或更高。10.如申 请专利范围第7项之介电陶瓷的制造方法,其中于 烧的步骤中。定义成(烧后介电陶瓷之平均晶 粒大小)/(所提供之钛酸钡粉末平均粒度)的比率値 R是控制落在0.90至1.2的范围内。11.如申请专利范 围第7项之介电陶瓷的制造方法,其中构成介电陶 瓷之晶粒在烧后具有核心_外壳的结构,其在核 心和外壳之间的组成和晶系不同。12.如申请专利 范围第7项之介电陶瓷的制造方法,其中构成介电 陶的晶粒在烧后具有一具备均匀组成和晶系之 均质结构。13.一种积层陶瓷电子元件,包括一积层 ,其是由复数个介电陶瓷层及沿着二个毗连的介电 陶瓷层间之一特定介面形成之内部导体所形成,其 中该介电陶瓷层包含一藉由烧钛酸钡粉末所获 得之介电陶瓷,其钙钛矿结构中之c-轴/a-轴比率是 不小于1.000且小于1.003,而其晶格中OH基的含量则不 高于2.0重量14.如申请专利范围第13项之积层陶瓷 电子元件,其中该钛酸粉末之最大粒度不大于0.3微 米而其平均粒度则在0.05至0.15微米之间。15.如申 请专利范围第13项之积层陶瓷电子元件,其中个别 该钛酸钡粉的颗粒包含一低结晶度部分及一高结 晶度部份,而其低结晶度部分的直径是该粉末之粒 度的0.5倍或更高。16.如申请专利范围第13项之积 层陶瓷电子元件,其中定义成(介电陶瓷平均晶粒 大小)/(钛酸钡粉末平均晶粒大小)的比率値R是在0. 90至1.2的范围中。17.如申请专利范围第13项之积层 陶瓷电子元件,其中构成该介电陶瓷的晶粒具有核 心_外壳的结构,其中在核心和外壳之间的组成和 晶系不同。18.如申请专利范围第13项之积层陶瓷 电子元件,其中该介电陶瓷中的晶粒具有一具备均 匀的组成和晶系之均质结构。19.如申请专利范围 第13项之积层陶瓷电子元件,其中该内部导体包含 一基底金属。20.如申请专利范围第19项之积层陶 瓷电子元件,其中该内部导体包含镍或镍合金。21. 如申请专利范围第13项之积层陶瓷电子元件,其更 进一步包括一于该积层之一侧面之不同位置所设 置之复数个外部电极,其中复数个内部导体系设置 成使每一个外部导的一端暴露该侧面上以便电接 触至其中一个外部电极上。22.一种制造积层陶瓷 电子元件的方法,其包括提供一种钛酸钡粉的步骤 ,此钛酸钡粉末之钙钛矿结构中之c-轴/a-轴比率是 不小于1.000而小于1.003,并且其晶格中OH基含量不高 于2.0重量%;制作一积层的步骤,其中包含该钛酸钡 粉末和内部电极之复数个陶瓷生胚片料系积层成 使该内部电极沿着该陶瓷生胚片料之特定介面存 在;以及烧该钛酸钡粉末以提供一介电陶瓷的步 骤。23.如申请专利范围第22项之制造积层陶瓷电 子元件的方法,其中在提供钛酸钡粉末的步骤中, 提供之钛酸钡粉末其最大粒度不大于0.3微米而其 平均粒度则在0.05到0.15微米之间。24.如申请专利 范围第22项之制造积层陶瓷电子元件的方法,其中 在该提供钛酸钡粉末的步骤中,该钛酸钡粉末之个 别颗粒包含一低结晶度部分及一高结晶度部分,而 其低结晶度部份的直径是该粉末粒度的0.5或更高 。25.如申请专利范围第22项之制造积层陶瓷电子 元件的方法,其中在该烧步骤中,定义成(烧后 介电陶瓷之平均晶粒大小)/(所提供之钛酸钡粉末 平均粒度)的比率値R控制落于0.90至1.2的范围内。 26.如申请专利范围第22项之制造积层陶瓷电子元 件的方法,其中构成介电陶瓷的晶粒在烧后具有 一核心_外壳的结构,其核心和外壳之间的组成和 晶系不同。27.如申请专利范围第22项之制造积层 陶瓷电子元件的方法,其中该介电陶瓷是中的晶粒 在烧后具有一具备均匀的组成和晶系之均质结 构。28.如申请专利范围第22项之制造积层陶瓷电 子元件的方法,其中该内部导体包含一基底金属。 29.如申请专利范围第28项之制造积层陶瓷电子元 件的方法,其中该内部导体包含镍或镍合金。30.如 申请专利范围第22项之制造积层陶瓷电子元件的 方法,其中该制造一积层的步骤包含下列子步骤: 沿着二个毗连陶瓷生胚片料间的特定介电设置该 部电极使得一内部导体的一端从该积层的一侧面 暴露出来;以及于该积层之侧面上形成复数个外部 电极以使每一个内部导体之暴露端电连接于所对 应之外部电极。图式简单说明: 第一图是根据本发明的一具体实施例的剖面图,表 示一积层陶瓷电容器1; 第二图为一张根据本发明提供用来制造一介电陶 瓷的钛酸钡粉末的照片,其是以穿透式电子显微镜 获得;以及 第三图在第二图中显示的电子显微镜照片的一个 说明式描图。 |
