| 主权项 |
1.一种光学资讯记录媒体,系包含可在结晶状态与 非晶形状态之间反相变化之记录层,藉对前述记录 层照射既定波长之雷射光,使前述记录层自前述结 晶状态及前述非晶形状态中所选之任一方变化至 另一方之光学资讯记录媒体,其特征在于: 前述记录层为前述结晶状态时之前述雷射光在前 述记录层之吸收率Ac,较前述记录层为前述非晶形 状态时之前述雷射光在前述记录层之吸收率Aa为 大, 相接于前述记录层之两侧,设有促进前述记录层自 前述非晶形状态变化至前述结晶状态之结晶化促 层。2.如申请专利范围第1项之光学资讯记录媒体, 其中记录层为结晶状态时在光学资讯记录媒体之 前述既定波长之雷射光之反射率Rc,系较前述记录 层为非晶形状态时在前述光学资讯记录媒体之前 述既定波长之雷射光之反射率Ra为小者。3.如申请 专利范围第2项之光学资讯记录媒体,其中更进一 步包含光吸收修正层,在前述雷射光之前述既定波 长之前述光吸收修正层的折射率较2为小,而在前 述雷射光之前述既定波长之前述光吸收修正层的 吸收系数较2为大者。4.如申请专利范围第3项之光 学资讯记录媒体,其中光吸收修正层系至少包含一 种自Au、Ag、Cu、Al、Cr及Ni中选出者。5.如申请专 利范围第2项之光学资讯记录媒体,其中更进一步 包含光吸收修正层,在前述雷射光之前述既定波长 之前述光吸收修正层的折射率较2为大,而在前述 雷射光之前述既定波长之前述光吸收修正层的吸 收系数较2为小者。6.如申请专利范围第5项之光学 资讯记录媒体,其中光吸收修正层系至少包含一种 自Si、Ge、Cr、S、Se及Te中选出者。7.如申请专利范 围第1项之光学资讯记录媒体,其中记录层为结晶 状态时在光学资讯记录媒体之前述既定波长之雷 射光之穿透率Tc,系较前述记录层为非晶形状态时 在前述光学资讯记录媒体之前述既定波长之雷射 光之穿透率Ta为小者。8.如申请专利范围第7项之 光学资讯记录媒体,其中更进一步包含光吸收修正 层,在前述雷射光之前述既定波长之前述光吸收修 正层的折射率较3为小,而在前述雷射光之前述既 定波长之前述光吸收修正层的吸收系数较6为小者 。9.如申请专利范围第8项之光学资讯记录媒体,其 中光吸收修正层系至少包含一种自Au、Ag、Cu、Al 、Cr、Ni、Si及Ge中选出者。10.如申请专利范围第7 项之光学资讯记录媒体,其中更进一步包含光吸收 修正层,而前述光吸收修正层之膜厚度系20nm以下 者。11.如申请专利范围第1项之光学资讯记录媒体 ,其中记录层为结晶状态时在前述记录层以外之层 之前述既定波长之雷射光的吸收率A'c,系较前述记 录层为非晶形状态时在前述记录层以外之层之前 述既定波长之雷射光的吸收率A'a为小者。12.如申 请专利范围第11项之光学资讯记录媒体,其中更进 一步包含光吸收修正层,在前述雷射光之前述既定 波长之前述光吸收修正层的折射率较2为大,而在 前述雷射光之前述既定波长之前述光吸收修正层 的吸收系数较2为大者。13.如申请专利范围第12项 之光学资讯记录媒体,其中光吸收修正层系至少包 含一种自Ge、Si、Cr、Se、S及Te中选出者。14.如申 请专利范围第1项之光学资讯记录媒体,其中记录 层系由至少包含一种自Te、Se及Ge中选出之相变化 材料而构成者。15.如申请专利范围第1项之光学资 讯记录媒体,其中记录层系由包含Te、Se及Ge之相变 化材料而构成者。16.如申请专利范围第1项之光学 资讯记录媒体,其中结晶化促进层系以自氮化物、 氧化物及碳化物中选出之至少一种为主成份之材 料而构成者。17.如申请专利范围第1项之光学资讯 记录媒体,其中结晶化促进层系不含以S为主成份 者。18.如申请专利范围第1项之光学资讯记录媒体 ,其中结晶化促进层系包含Ge及N者。19.如申请专利 范围第1项之光学资讯记录媒体,其中结晶化促进 层系包含Zn及S,在前述结晶化促进层之对S之Zn之原 子比较1大者。20.如申请专利范围第1项之光学资 讯记录媒体,其中结晶化促进层系包含Zn、S、Si及O 以作为主成份,在前述结晶化促进层之对Si之O之原 子比较2大者。21.如申请专利范围第1项之光学资 讯记录媒体,其中记录层之膜厚度为1nm以上25nm以 上者。22.如申请专利范围第1项之光学资讯记录媒 体,其中结晶化促进层之膜厚度为1nm以上者。23.如 申请专利范围第1项之光学资讯记录媒体,其中记 录层之组成系以((GeTe)1-X(Sb2Te3)x)1-ySby(但,1/13≦x≦1 /3.0≦y≦2/3)显示者。24.如申请专利范围第1项之光 学资讯记录媒体,其中保护层系至少接于一方之结 晶化促进层而设置。25.如申请专利范围第1项之光 学资讯记录媒体,其中更进一步包含光吸收修正层 ,在无前述光吸收修正层之状态下前述Ac系在前述 Aa以下,但藉由前述光吸收修正层之存在,前述Ac变 得较前述Aa大者。26.一种光学资讯的记录再生方 法,系一种包含可在结晶状态与非晶形状态之间反 相变化之记录层,藉对前述记录层照射既定波长之 雷射光,使前述记录层自前述结晶状态及前述非晶 形状态中所选之任一方变化至另一方。 前述记录层为前述结晶状态时之前述雷射光在前 述记录层之吸收率Ac,较前述记录层为前述非晶形 状态时之前述雷射光在前述记录层之吸收率Aa为 大, 使用接于前述记录层之两侧设有结晶化促进层之 光学资讯记录媒体之光学资讯之记录再生方法,其 特征在于: 藉来自光学系缩小至微小点之雷射光的照射而使 前述记录层中之局部自结晶状态反相变化至非晶 形状态之非晶形状态生成功率强度为P1,藉前述雷 射光的照射而使前述记录层中之局部自非晶形状 态反相变化至结晶状态之结晶状态生成功率强度 为P2,较前述P1及前述P2之任一功率强度为低,藉前 述雷射光的照射前述记录层之光学性状态不受影 响,且藉该照射而为光学资讯的再生可得充分之反 射之再生功率强度为P3时, 藉在前述P1及前述P2之间调变前述雷射光之功率强 度,进行光学资讯之记录、消或覆写,藉照射前述P3 之功率强度之雷射光进行光学资讯之再生。27.如 申请专利范围第26项之光学资讯之记录再生方法, 其中在光学资讯记录媒体上之雷射光之扫描之线 速度为4m/s以上者。图式简单说明: 第一图系显示本发明之层构成之例之截面图。 第二图系显示本发明之层构成之另外一例之截面 图。 第三图系显示本发明之层构成之再一例之截面图 。 第四图说明覆写失真之模式图。 第五图系显示记录层之较佳之组成范图之3次元组 成图。 第六图系模式性的显示成模装置之一例之图。 第七图系显示以往之层构成之一例之图。 第八图系显示以往之层构成之另外一例之图。 |
