| 主权项 |
1.一种积体电路的内连线结构,至少包含:一金属导线;一导体阻障层、一第一内金属介电层和一介电阻障层依序形成在该金属导线上,其中该导体阻障层、该第一内金属介电层和该介电阻障层具有一开口暴露出该金属导线;一第二内金属介电层覆盖在该介电阻障层上,其中该第二内金属介电层具有一沟渠暴露出该开口和该介电阻障层;复数个导体侧阻障层形成在该开口和该沟渠的侧壁上;以及一金属插塞填满该开口和该沟渠。2.一种积体电路的内连线结构,至少包含:一金属导线;一导体阻障层、一第一内金属介电层和一第一介电阻障层依序形成在该金属导线上,其中该导体阻障层、该第一内金属介电层和该第一介电阻障层具有一开口暴露出该金属导线;一第二内金属介电层和一第二介电阻障层依序覆盖在该介电阻障层上,其中该第二内金属介电层和该第二介电阻障层具有一沟渠暴露出该开口和该第一介电阻障层;复数个导体侧阻障层形成在该开口和该沟渠的侧壁上;以及一金属插塞填满该开口和该沟渠。3.一种金属内连线结构的制造方法,至少包含下列步骤:在一金属导线上形成一第一导体阻障层、一第一内金属介电层和一第一介电阻障层,其中该第一介电阻障层中具有一第一缺口暴露出该第一内金属介电层;在该第一内金属介电层上依序形成一第二内金属介电层和一第二介电阻障层覆盖该第一介电阻障层;在该第二介电阻障层和该第二内金属介电层中形成一沟渠暴露出该第一介电阻障层;在该第一介电阻障层、该第一内金属介电层、和该第一导体阻障层中形成一介层窗开口暴露出该金属导线;在该介层窗开口、该第一缺口和该沟渠的侧壁上形成复数个导体侧阻障层;以及在该介层窗开口、该第一缺口和该沟渠中形成一金属插塞直接接触该金属导线。4.如申请专利范围第3项所述之金属内连线结构的制造方法,其中形成该些导体侧阻障层更包括下列步骤:在该介层窗开口和该沟渠中,且在该第二介电阻障层上形成一共形的导体阻障层;以及回蚀刻该共形的导体阻障层。5.如申请专利范围第4项所述之金属内连线结构的制造方法,其中形成该共形的导体阻障层之步骤更包括利用氮化钽(TaNx)、氮化钛(TiNx)或氮化钨(WNx)。6.如申请专利范围第4项所述之金属内连线结构的制造方法,其中该回蚀步骤是一种非等向性电浆蚀刻蚀刻步骤。7.如申请专利范围第6项所述之金属内连线结构的制造方法,其中该非等向性电浆蚀刻步骤系利用含氯化学品(Cl-based chemicals)进行。8.一种金属内连线结构的制造方法,至少包含下列步骤:在一金属导线上形成一第一导体阻障层、一第一内金属介电层和一第一内金属介电层和一第一介电阻障层,其中该第一介电阻障层中具有一第一缺口暴露出该第一内金属介电层;在该第一内金属介电层上依序形成一第二内金属介电层和一第一导体阻障层覆盖该第一介电阻障层;在该第一导体阻障层和该第二内金属介电层中形成一沟渠暴露出该第一介电阻障层;在该第一介电阻障层、该第一内金属介电层、和该第一导体阻障层中形成一介层窗开口暴露出该金属导线;在该介层窗开口、该第一缺口、和该第二内金属介电层之该沟渠的侧壁上形成复数个导体侧阻障层;去除该第一导体阻障层;以及在该介层窗开口、该第一缺口、和该第二内金属介电层之该沟渠中形成一金属插塞直接接触该金属导线。9.如申请专利范围第8项所述之金属内连线结构的制造方法,其中形成该些导体侧阻障层更包括下列步骤:在该介层窗开口和该沟渠中,且在该第一导体阻障层上形成一共形的第二导体阻障层;以及回蚀刻该第二导体阻障层。10.如申请专利范围第9项所述之金属内连线结构的制造方法,其中形成该第二导体阻障层之步骤更包括利用氮化钽(TaNx)、氮化钛(TiNx)或氮化钨(WNx)。11.如申请专利范围第9项所述之金属内连线结构的制造方法,其中该回蚀刻步骤是一种非等向性电浆蚀刻蚀刻步骤。12.如申请专利范围第11项所述之金属内连线结构的制造方法,其中该非等向性电浆蚀刻步骤系利用含氯化学品(Cl-based chemicals)进行。13.如申请专利范围第9项所述之金属内连线结构的制造方法,其中该非等向性电浆蚀刻步骤系以用于蚀刻金属之化学品进行。图式简单说明:第一图绘示传统的一种双重嵌入内连线结构剖面示图;第二图绘示本发明提供的一种新式的内连线结构示意图;第三图绘示为根据本发明较佳实施例,一种积体电路的内连线结构剖面示意图;第四图绘示为根据本发明较佳实施例,一种积体电路的内连线结构剖面示意图;第五图至第十一图系绘示根据本发明较佳实施例,一种金属内连线结构的制造流程示意图;以及第十二图系绘示根据本发明另一较佳实施例,一种金属内连线结构的制造结果示意图。 |
