发明名称 具抗水气性之硼磷矽玻璃膜的制造方法
摘要 本发明提供一种具抗水气性之硼磷矽玻璃膜的制造方法,其制程特点在于:先沈积一硼磷矽玻璃膜,再使前述硼磷矽玻璃膜的表面暴露在氮气电浆中20秒以上的时间。其中藉由电浆的后处理,不仅能增加硼磷矽玻璃膜的阻隔水气效果,更能于前述硼磷矽玻璃膜的表面上形成一包含氮化物的薄层,以防止水气渗入,而得到相乘的抗水气效果。
申请公布号 TW461107 申请公布日期 2001.10.21
申请号 TW088118630 申请日期 1999.10.26
申请人 台湾茂矽电子股份有限公司 发明人 张晏榕;杨益泉;苏文杰;叶曜嘉
分类号 H01L29/34 主分类号 H01L29/34
代理机构 代理人 周良谋 新竹巿东大路一段一一八号十楼
主权项 1一种具抗水气性之硼磷矽玻璃膜的制造方法,包含以下各步骤:沈积一硼磷矽玻璃膜;与将该硼磷矽玻璃膜的表面暴露在氮气电浆中20秒以上的时间,其中使用700-1000瓦的射频功率。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该硼磷矽玻璃膜具有硼浓度为介于4至5.5重量百分比之间。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该硼磷矽玻璃膜具有磷浓度为介于5.5至7重量百分比之间。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该硼磷矽玻璃膜的表面曝露在氮气电浆中20-60秒的时间。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中使用氮气电浆处理该硼磷矽玻璃膜的表面后,在该表面上将形成一包含氮化物(SiOxNy)的薄层而阻止水气的侵入。图式简单说明:第一图A与第一图B为显示习用之BPSG膜及盖层的横剖面图;第二图为显示具有NSG盖层的BPSG膜的FT-IR光谱图;第三图A与第三图B为显示本发明之具抗水氧性的BPSG膜的制造步骤的横剖面图;第四图为显示本发明之BPSG膜的FT-IR光谱图。
地址 新竹巿科学工业园区力行路十九号