| 主权项 |
1.一种去除半导体基底表面碳污染之方法,可应用在一半导体基底上,该方法包括:以一二氯乙烯与一氧气在高温环境中,形成一牺牲氧化层于该半导体基底上;以及去除该牺牲氧化层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该二氯乙烯包括反二氯乙烯。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该二氯乙烯包括顺二氯乙烯。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中去除该牺牲氧化层之步骤包括以氟化氢蚀刻该牺牲氧化层,直到露出该半导体基底表面为止。5.一种形成一牺牲氧化层的气体配方,该牺牲氧化层用以去除一半导体基底表面上残留之碳污染,该气体配方包括:一二氯乙烯;以及。一氧气。6.如申请专利范围第5项所述之气体配方,其中该二氯乙烯包括反二氯乙烯。7.如申请专利范围第5项所述之气体配方,其中该二氯乙烯包括顺二氯乙烯。8.如申请专利范围第5项所述之气体配方,其中该二氯乙烯与该氧气系以高温下与一半导体基底反应形成该牺牲氧化层。9.一种去除半导体基底表面碳污染之方法,可应用在一半导体基底上,该方法包括:以一反二氯乙烯与一氧气在高温环境中,形成一牺牲氧化层于该半导体基底上;以及去除该牺牲氧化层;形成一氧化层于该半导体基底上。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中去除该牺牲氧化层之步骤包括以氟化氢蚀刻该牺牲氧化层,直到露出该半导体基底表面为止。11.一种形成一牺牲氧化层的气体配方,该牺牲氧化层用以去除一半导体基底表面上残留之碳污染,该气体配方包括:一反二氯乙烯;以及一氧气。12.如申请专利范围第11项所述之气体配方,其中该反二氯乙烯与该氧气系以高温下与一半导体基底反应形成该牺牲氧化层。图式简单说明:第一图其所绘示为习知第一种去除半导体基底或是蚀刻之后所裸露出之矽层表面之碳污染方法的流程图;第二图A至第二图C所绘示系为第一图之方法流程的剖面图;第三图其所绘示为习知第一种去除半导体基底或是蚀刻之后所裸露出之矽层表面之碳污染方法的流程图;第四图A至第四图D所绘示系为第三图之方法流程的剖面图;第五图其所绘示系为依照本发明较佳实施例的一种利用反二氯乙烯形成牺牲氧化层,以去除半导体基底表面的碳污染之流程图;第六图A至第六图D其所绘示系为第五图之方法流程的剖面示意图;以及第七图A至第七图C其绘示依照本发明另一较佳实施例的一种利用反二氯乙烯或顺二氯乙烯形成牺牲氧化层,以去除接触窗开口底部的碳污染之剖面示意图。 |
