| 主权项 |
1.一种半导体陶瓷组成物,其中包括基于SrO为0.05至 0. 95莫耳之Sr,基于PbO为0.05至 0.85莫耳之Pb,基于TiO2为0.90至2.0莫耳之Ti及基于其 氧化物为0.001至0.3莫耳之R;R为选自稀土元素,Bi,V ,W,Ta,Nb及Sb中之1至23种物料;Bi、Sb及除了Ce外之 稀土元素之数量系基于1/2(R2O3),V,Ta及Nb之数量系 基于1/2(R2O5)而Ce及W之数量分别系基于RO2及RO3;组 成物于氧化性气氛内进行烧制。2.如申请专利范 围第1项之半导体陶瓷组成物,又包括以0 .001至30wt%之数量添加之SiO2。3.如申请专利范围第1 项之半导体陶瓷组成物,其中数量 为0.001至0.3莫耳之SrO及PbO系由BaO及CaO中之至少一 者 所取代。4.如申请专利范围第3项之半导体陶瓷组 成物,又包括以0 |
