| 主权项 |
1.一种半导体晶圆,其具备: 包含Si结晶之基板;及 结晶层,其系设置在上述基板上,且具有大于上述 基板之晶格常数的平面内晶格常数; 上述结晶层的至少一部分为包含SiC结晶分散的Si 、Ge及C的结晶。2.如申请专利范围第1项之半导体 晶圆, 还具备应变Si结晶层,其系设置在上述结晶层上。3 .一种半导体晶圆的制造方法,其包含: 堆积步骤(a),其系在包含Si结晶之基板上,至少一部 分上堆积含有Si、Ge及C的结晶层;及 析出步骤(b),其系将堆积有上述结晶层的上述基板 加以热退火,使上述结晶层的晶格松弛,在上述结 晶层中析出SiC结晶。4.如申请专利范围第3项之半 导体晶圆的制造方法, 还包含形成步骤(c),其系在含上述SiC结晶之退火后 的上述结晶层上形成应变Si结晶层。5.一种半导体 晶圆的制造方法,其包含: 堆积步骤(a),其系在Si结晶构成基板上,至少一部分 上堆积含有Si、Ge及C的结晶层; 堆积步骤(b),其系在上述结晶层上堆积Si结晶层;及 应变步骤(c),其系将上述基板加以热退火,在上述 结晶层中析出SiC结晶,使上述Si结晶层产生应变。 图式简单说明: 图1为用于获得应变Si结晶之先前基板构造的剖面 图。 图2为以本发明实施形态形成之具备应变Si结晶层 的半导体晶圆剖面图。 图3(a)~(d)为本发明实施形态之半导体晶圆的制造 步骤剖面图。 图4为本发明实施形态之半导体晶圆,其堆积在Si基 板上后之SiGeC结晶与热退火后之SiGeC结晶的X射线 绕射光谱图。 图5为本发明提议之在松弛缓冲层上制成应变Si结 晶层之Si基板的X射线绕射光谱图。 图6为将本发明形成在Si基板上之SiGeC层加以热退 火后的穿透型电子显微镜照相图。 图7为将形成在基板上之SiGe结晶加以热退火后的 穿透型电子显微镜照相图。 |
