发明名称 导电金属带与连接器
摘要 本发明是有关于一种导电金属带用于制造电性接触构件与插座连接器。此金属带具有由铜或铜合金所构成之基础材料,以及由锡银合金(其所包含银的成份是介于1Gew%与3.8Gew%之间)所构成,以熔化技术涂布之金属涂层。此涂层之银含量较佳是介于1.2Gew%与2.5Gew%之间。藉由此涂层中银的成份而尤其达成关于在基础材料与金属涂层之间附着强度之正面之特性,同时改善其本身之温度稳定性与滑动特性。此外,确保稳定之接触界面电阻。
申请公布号 TW495769 申请公布日期 2002.07.21
申请号 TW090111258 申请日期 2001.05.11
申请人 史托勒伯格金属工件有限两合公司 发明人 克路斯史屈雷奇;艾伯特鲁贝奇;乔根葛哈迪;鸟多艾勒
分类号 H01B7/00;H01R9/07 主分类号 H01B7/00
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼;李明宜 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种用于制造电性接触构件尤其是插座连接器 之导电金属带,其具有由铜或铜合金所称成的基础 材料,此金属带具有由锡银合金所构成而以熔化技 术所涂布之金属层,其中在此基础材料与涂层之间 形成(金属)中间相,其特征为: 此由锡银合金所构成之涂层所具有银的成份是1 Gew%与3.8 Gew%之间。2.如申请专利范围第1项之导电 金属带,其中 此涂层的银含量是介于1.2 Gew%与2.5 Gew%之间。3.如 申请专利范围第1或2项之导电金属带,其中 此锡银合金包括直至10 Gew%,较佳是介于0.1 Gew%与5 Gew%之间的铟。4.如申请专利范围第1或2项之导电 金属带,其中此基础材料(以重量百分比Gew%表示), 是由以下所构成: 镍(Ni) 1.0%至4.0% 矽(Si) 0.08%至1.0% 锡(Sn) 一直至1.0% 锌(Zn) 一直至2.0% 其余为铜,包括其他可能的合金成份,以及由熔化 所造成的污染。5.如申请专利范围第3项之导电金 属带,其中此基础材料(以重量百分比Gew%表示),是 由以下所构成: 镍(Ni) 1.0%至4.0% 矽(Si) 0.08%至1.0% 锡(Sn) 一直至1.0% 锌(Zn) 一直至2.0% 其余为铜,包括其他可能的合金成份,以及由熔化 所造成的污染。6.如申请专利范围第1或2项之导电 金属带,其中此基础材料(以重量百分比Gew%表示)是 由以下所构成: 镍(Ni) 1.4%至1.7% 矽(Si) 0.2%至0.35% 锡(Sn) 0.02%至0.3% 锌(Zn) 0.01%至0.35% 其余为铜,包括其他可能的合金组成成份,以及由 熔化所造成的污染。7.如申请专利范围第3项之导 电金属带,其中此基础材料(以重量百分比Gew%表示) 是由以下所构成: 镍(Ni) 1.4%至1.7% 矽(Si) 0.2%至0.35% 锡(Sn) 0.02%至0.3% 锌(Zn) 0.01%至0.35% 其余为铜,包括其他可能的合金组成成份,以及由 熔化所造成的污染。8.如申请专利范围第1或2项之 导电金属带,其中此基础材料包含介于0.02与0.5Cew% 之间,较佳是介于0.05与0.2Gew%之间的银(Ag)。9.如申 请专利范围第6项之导电金属带,其中此基础材料 包含介于0.02与0.5Gew%之间,较佳是介于0.05与0.2Gew% 之间的银(Ag)。10.如申请专利范围第1或2项之导电 金属带,其中此基础材料包含一直至 0.35Gew%较佳是介于0.005与 0.05Gew%之间的锆(Zr)。11.如申请专利范围第8项之导 电金属带,其中此基础材料包含一直至 0.35Gew%,较佳是介于0.005与 0.05Gew%之间的锆(Zr)。12.如申请专利范围第1或2项 之导电金属带,其中此基础材料包含一直至 0.1Gew%的镁(Mg),一直至 0.05Gew%之磷(P),或一直至 0.1Gew%之铁(Fe)。13.如申请专利范围第10项之导电金 属带,其中此基础材料包含一直至 0.1Gew%的镁(Mg),一直至 0.05Gew%之磷(P),或一直至 0.1Gew%之铁(Fe)。14.一种插座连接器,其特征为由申 请专利范围第1至8项中任一项之导电金属带所构 成。
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