使用散射仪剖面量测之垂叠量测方法及装置

摘要

一种用于非破坏性特征说明二层半导体晶圆间之对准垂叠之方法。将一入射辐射束导向在晶圆表面，并确定所产生之衍射束之特性，在一种实施例为波长或入射角之函数。衍射束之光谱或角度解析特征系与垂叠特色有关。将垂叠对准上之全范围预期变化模型化，藉以建立所计算衍射光谱之资料库。检查一在至少二层有对准靶之实际晶圆所产生之光谱与程式库比较，以识别一特征说明实际对准之最佳配合。可使用比较之结果作为一供上游及／或下游过程控制之输入。