METHOD OF FORMING EXTREMELY THIN FILM RECRYSTALLIZED SILICON SUBSTRATE,申请号JP19900129707-传众专利搜索

发明名称	METHOD OF FORMING EXTREMELY THIN FILM RECRYSTALLIZED SILICON SUBSTRATE
摘要
申请公布号	JPH0423473(A)	申请公布日期	1992.01.27
申请号	JP19900129707	申请日期	1990.05.18
申请人	SHARP CORP	发明人	SHIRAKAWA KAZUHIKO
分类号	H01L21/20;H01L21/263;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/786	主分类号	H01L21/20
代理机构		代理人
主权项
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