| 摘要 |
<P>L'invention se rapporte aux dispositifs magnétiques de lecture du type comportant une pluralité de têtes magnétiques de lecture (T1 à T9), incorporant chacune un élément magnéto-résistif (MR) présentant une résistance (R1 à R9) variable en fonction d'un champ magnétique extérieur. <BR/> Le dispositif de lecture de l'invention comporte des conducteurs lignes (Y1 à Y3) croisés avec des conducteurs colonnes (X1 à X3) de manière à former des intersections comportant chacune une tête de lecture (T1 à T9). Suivant une caractéristique de l'invention, les premières et secondes extrémités des résistances (R1 à R9) sont reliées respectivement à un conducteur ligne (Y1 à Y3) et à un conducteur colonne (X1 à X3) de l'intersection correspondante, et une tension de commande est appliquée aux conducteurs lignes et colonnes par l'intermédiaire d'un élément de commutation (I1 à I3) pour chaque conducteur ligne (Y1 à Y3), les conducteurs colonnes (X1 à X3) étant reliés à un capteur de courant (A1 à A3). <BR/> Il en résulte une simplification de la commande des têtes de lecture (T1 à T9), tout en évitant l'effet des têtes non sélectionnées sur les variations de courant provenant des têtes sélectionnées.</P>
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