| 摘要 |
<p><P>Ce circuit à retard comprend une paire amplificatrice (DRV) symétrique complémentaire, à transistors à effet de champ, à grille isolée, et à enrichissement, qui commande le signal de sortie (Vo) entre la tension d'alimentation (Vcc) et la tension de masse (Vss). De plus, un condensateur variable (VCL) est commandé par ce signal de sortie (Vo), et a la propriété d'avoir une capacité croissante avec la tension d'alimentation dans le domaine de variations normales de celle-ci. Cette capacité croissante sert à compenser l'inconvénient connu dans les circuits intégrés CMOS, de la conductance des transistors MOS croissante avec la tension d'alimentation (Vcc). Cette compensation permet de maintenir des retards constants malgré les variations de tension (Vcc). Cela permet d'améliorer la vitesse et la fiabilité du circuit intégré.</P></p> |
