| 主权项 |
1.一种垂直氮化物唯读记忆体反及记忆体胞线串, 其包括: 基板,其包括一或一个以上的隆起区而于其间界定 复数条沟槽; 复数个氮化物唯读记忆体记忆体胞,其中,该等氮 化物唯读记忆体记忆体胞系以垂直的方式形成于 该等一或一个以上隆起区的侧壁之上;以及 其中该等复数个氮化物唯读记忆体记忆体胞经由 形成于该等一或一个以上隆起区之顶端处及该等 一或一条以上沟槽之底部处的复数个源极/汲极区 而被耦合于一连续的线串中。 2.如申请专利范围第1项之垂直氮化物唯读记忆体 反及记忆体胞线串,其中该等隆起区系柱状物。 3.如申请专利范围第1项之垂直氮化物唯读记忆体 反及记忆体胞线串,其进一步包括: 复数条字组线,其中每条字组线均被耦合至该线串 中氮化物唯读记忆体记忆体胞的控制闸极; 位元线,其中该条位元线被耦合至该线串中第一个 氮化物唯读记忆体记忆体胞的源极/汲极;以及 源极线,其中该条源极线被耦合至该线串中最后一 个氮化物唯读记忆体记忆体胞的源极/汲极。 4.如申请专利范围第3项之垂直氮化物唯读记忆体 反及记忆体胞线串,其中该等第一个与最后一个氮 化物唯读记忆体记忆体胞经由第一与第二选择电 晶体而被耦合至该条位元线与源极线。 5.一种垂直氮化物唯读记忆体反及记忆体阵列,其 包括: 基板,其包括复数根柱状物以及复数条相关的沟槽 ; 复数个氮化物唯读记忆体记忆体胞,其中,该等氮 化物唯读记忆体记忆体胞系以垂直的方式形成于 该等复数根柱状物的侧壁之上;以及 其中,该等复数个氮化物唯读记忆体记忆体胞经由 形成于该等复数根柱状物之顶端处及该等相关沟 槽之底部处的复数个源极/汲极区而被耦合成复数 条反及架构记忆体线串。 6.如申请专利范围第5项之垂直氮化物唯读记忆体 反及记忆体阵列,其进一步包括: 复数条字组线,其中每条字组线均被耦合至一或一 个以上氮化物唯读记忆体记忆体胞中一或一个以 上的控制闸极,其中每个该等一或一个以上氮化物 唯读记忆体记忆体胞均系来自该等复数条反及架 构记忆体线串中不同的反及架构记忆体线串; 至少一条位元线,其中该至少一条置元线被耦合至 该等复数条反及架构记忆体线串中每条反及架构 记忆体线串中第一个氮化物唯读记忆体记忆体胞 的源极/汲极;以及 至少一条源极线,其中该至少一条源极线被耦合至 该等复数条反及架构记忆体线串中每条反及架构 记忆体线串中最后一个氮化物唯读记忆体记忆体 胞的源极/汲极。 7.如申请专利范围第6项之垂直氮化物唯读记忆体 反及记忆体阵列,其中每条反及架构记忆体线串中 的第一个与最后一个氮化物唯读记忆体记忆体胞 经由第一与第二选择电晶体而被耦合至该至少一 条位元线与该至少一条源极线。 8.如申请专利范围第5项之垂直氮化物唯读记忆体 反及记忆体阵列,其中于该等复数条反及架构记忆 体线串中相邻的反及架构记忆体线串之间形成隔 离区。 9.如申请专利范围第8项之垂直氮化物唯读记忆体 反及记忆体阵列,其中该隔离区系氧化物绝缘体。 10.如申请专利范围第5项之垂直氮化物唯读记忆体 反及记忆体阵列,其中该等复数条反及架构记忆体 线串中的每条反及架构记忆体线串均系形成于该 基板上所形成的分离的P井隔离区之上。 11.一种氮化物唯读记忆体反及架构快闪记忆体装 置,其包括: 形成于基板之上的氮化物唯读记忆体反及架构记 忆体阵列,该基板具有复数根柱状物以及复数条相 关的沟槽; 复数个氮化物唯读记忆体记忆体胞,其中,该等氮 化物唯读记忆体记忆体胞系以垂直的方式形成于 该等复数根柱状物与沟槽的侧壁之上;以及 其中,该等复数个氮化物唯读记忆体记忆体胞经由 形成于该等复数根柱状物之顶端处及该等相关沟 槽之底部处的复数个源极/汲极区而被耦合成复数 条反及架构记忆体线串。 12.如申请专利范围第11项之垂直氮化物唯读记忆 体反及架构快闪记忆体装置,其进一步包括: 复数条字组线,其中每条字组线均被耦合至一或一 个以上氮化物唯读记忆体记忆体胞中一或一个以 上的控制闸极,其中每个该等一或一个以上氮化物 唯读记忆体记忆体胞均系来自该等复数条反及架 构记忆体线串中不同的反及架构记忆体线串; 至少一条位元线,其中该至少一条位元线被耦合至 该等复数条反及架构记忆体线串中每条反及架构 记忆体线串中第一个氮化物唯读记忆体记忆体胞 的源极/汲极;以及 至少一条源极线,其中该至少一条源极线被耦合至 该等复数条反及架构记忆体线串中每条反及架构 记忆体线串中最后一个氮化物唯读记忆体记忆体 胞的源极/汲极。 13.如申请专利范围第12项之垂直氮化物唯读记忆 体反及架构快闪记忆体装置,其中每条反及架构记 忆体线串中的第一个与最后一个氮化物唯读记忆 体记忆体胞经由第一与第二选择电晶体而被耦合 至该至少一条位元线与该至少一条源极线。 14.如申请专利范围第11项之垂直氮化物唯读记忆 体反及架构快闪记忆体装置,其中该反及架构快闪 记忆体装置的该等氮化物唯读记忆体记忆体胞被 调适成利用下面其中一者来进行程式化:穿隧电子 注入法、通道热电子注入法(HEI)、以及基板增强 热电子注入法(SEHE)。 15.如申请专利范围第11项之垂直氮化物唯读记忆 体反及架构快闪记忆体装置,其中该反及架构快闪 记忆体装置的该等氮化物唯读记忆体记忆体胞被 调适成利用下面其中一者来进行抹除:穿隧法、相 对于该基板或P井于该控制闸极上施加负电压、以 及基板增强带至带穿隧诱发热电洞注入法(SEBBHH) 。 16.一种氮化物唯读记忆体反及架构快闪记忆体装 置,其包括: 形成于基板之上的氮化物唯读记忆体反及架构记 忆体阵列,该基板具有复数根柱状物以及复数条相 关的沟槽; 复数个氮化物唯读记忆体记忆体胞,其中,该等氮 化物唯读记忆体记忆体胞系以垂直的方式形成于 该等复数根柱状物与沟槽的侧壁之上;以及其中, 该等复数个氟化物唯读记忆体记忆体胞经由形成 于该等复数根柱状物之顶端处及该等相关沟槽之 底部处的复数个源极/汲极区而被耦合成复数条反 及架构记忆体线串; 控制电路; 列解码器; 被耦合至该列解码器的复数条字组线,其中每条字 组线均被耦合至一个或一以上氮化物唯读记忆体 记忆体胞中一或一个以上的控制闸极,其中每个该 等一或一个以上氮化物唯读记忆体记忆体胞均系 来自该等复数条反及架构记忆体线串中不同的反 及架构记忆体线串; 至少一条位元线,其中该至少一条位元线经由第一 选择闸极而被耦合至该等复数条反及架构记忆体 线串中每条反及架构记忆体线串中第一个氮化物 唯读记忆体记忆体胞的源极/汲极;以及 至少一条源极线,其中该至少一条源极线经由第二 选择闸极而被耦合至该等复数条反及架构记忆体 线串中每条反及架构记忆体线串中最后一个氮化 物唯读记忆体记忆体胞的源极/汲极。 17.一种系统,其包括: 处理器,该处理器被耦合至至少一个记忆体装置, 其中该至少一个记忆体装置包括: 形成于基板之上的氮化物唯读记忆体反及架构记 忆体阵列,该基板具有复数根柱状物以及复数条相 关的沟槽, 复数个氮化物唯读记忆体记忆体胞,其中,该等氮 化物唯读记忆体记忆体胞系以垂直的方式形成于 该等复数根柱状物与沟槽的侧壁之上,以及 其中,该等复数个氮化物唯读记忆体记忆体胞经由 形成于该等复数根柱状物之顶端处及该等相关沟 槽之底部处的复数个源极/汲极区而被耦合成复数 条反及架构记忆体线串。 18.一种垂直氮化物唯读记忆体反及记忆体胞线串, 其包括: 形成于基板之上的反及架构氮化物唯读记忆体记 忆体胞记忆体线串,其具有被耦合至一连续的线串 中之源极/汲极的复数个氮化物唯读记忆体记忆体 胞;以及 其中,藉由形成一连串的基板柱状物与中间沟槽来 形成垂直氮化物唯读记忆体反及记忆体胞线串,其 中,该等氮化物唯读记忆体记忆体胞系以垂直的方 式形成于相邻柱状物之该等侧壁上的该等沟槽内, 致使每条沟槽均可固定两个氮化物唯读记忆体记 忆体胞。 19.一种氮化物唯读记忆体反及架构快闪记忆体装 置,其包括: 形成于基板之上的反及架构记忆体阵列,其具有被 排列于复数列与复数行之中的复数个氮化物唯读 记忆体记忆体胞并且被耦合成复数条反及记忆体 线串,其中该等氮化物唯读记忆体记忆体胞系以垂 直的方式形成于该等复数根柱状物与相关沟槽的 侧壁之上,而且其中,该等复数个氮化物唯读记忆 体记忆体胞经由形成于该等复数根柱状物之顶端 处及该等相关沟槽之底部处的复数个源极/汲极区 而被耦合成该等复数条反及记忆体线串; 复数条字组线,其中每条字组线均被耦合至一列该 等氮化物唯读记忆体记忆体胞中一或一个以上的 闸极; 复数条位元线,其中每条位元线均被耦合至一或一 条以上线串中第一个氮化物唯读记忆体记忆体胞 的源极/汲极;以及 至少一条源极线,其中该至少一条源极线被耦合至 一或一条以上线串中最后一个氮化物唯读记忆体 记忆体胞的源极/汲极。 20.一种形成垂直氮化物唯读记忆体反及架构记忆 体胞线串的方法,其包括: 于基板上形成一或一个以上的隆起区,该等隆起区 界定复数条中间沟槽; 于该等一或一个以上隆起区的侧壁之上形成复数 个氮化物唯读记忆体记忆体胞;以及 于该等一或一个以上隆起区之顶端处及该等中间 沟槽之底部处形成一或一个以上的源极/汲极区。 21.如申请专利范围第20项之方法,其中于基板上形 成一或一个以上的隆起区进一步包括:于基板上形 成一或一根以上的柱状物。 22.如申请专利范围第20项之方法,其中于该等一或 一个以上隆起区之顶端处及该等中间沟槽之底部 处形成一或一个以上的源极/汲极区进一步包括: 在形成该等复数个氮化物唯读记忆体记忆体胞以 前或是形成该等复数个氮化物唯读记忆体记忆体 胞以后,于该等一或一个以上隆起区之顶端处及该 等中间沟槽之底部处形成一或一个以上的源极/汲 极区。 23.如申请专利范围第20项之方法,其中该基板系P掺 杂的。 24.如申请专利范围第20项之方法,其中于该等一或 一个以上隆起区的侧壁之上形成复数个氮化物唯 读记忆体记忆体胞进一步包括:藉由于复数个经选 定的侧壁的表面上形成闸极-绝缘体堆叠,以于该 等一或一个以上隆起区的侧壁之上形成复数个氮 化物唯读记忆体记忆体胞。 25.如申请专利范围第24项之方法,其中于复数个经 选定的侧壁的表面上形成闸极-绝缘体堆叠进一步 包括:于该等复数个经选定的侧壁的表面上形成隧 道绝缘体、于该隧道绝缘体之上形成陷捕层、于 该陷补层之上形成闸极间绝缘体、以及于该闸极 间绝缘体之上形成控制闸极。 26.如申请专利范围第25项之方法,其中于该等复数 个经选定的侧壁的表面上形成隧道绝缘体、于该 隧道绝缘体之上形成陷捕层、于该陷捕层之上形 成闸极间绝缘体、以及于该闸极间绝缘体之上形 成控制闸极进一步包括:于该等一或一个以上隆起 区及/或沟槽之上沉积隧道绝缘体、氮化物陷捕层 、闸极间绝缘体、以及控制闸极等每一个别层,并 且遮罩且有向性蚀刻每一层。 27.如申请专利范围第25项之方法,其中于该等复数 个经选定的侧壁的表面上形成隧道绝缘体、于该 隧道绝缘体之上形成陷捕层、于该陷捕层之上形 成闸极间绝缘体、以及于该闸极间绝缘体之上形 成控制闸极进一步包括:于该等一或一个以上隆起 区以及中间沟槽之上沉积隧道绝缘体层、氮化物 层、闸极间绝缘体层、以及控制闸极层,并且遮罩 且有向性蚀刻该等混合层,以产生该闸极-绝缘体 堆叠。 28.如申请专利范围第24项之方法,其中于复数个经 选定的侧壁的表面上形成闸极-绝缘体堆叠进一步 包括形成由下面其中一者所组成的闸极-绝缘体堆 叠:氧化物-氮化物-氧化物(ONO);氧化物-氮化物-氧 化铝;氧化物-氧化铝-氧化物;氧化物-碳氧化矽-氧 化物;氧化物-<Ti、Ta、Hf、Zr、或是La等的氧化物>- 氧化物所组成的混合层;氧化物-<Si、N、Al、Ti、Ta 、Hf、Zr、以及La等的非化学标准配比氧化物>-氧 化物所组成的混合层;氧化物-未退火的湿氧化物- 氧化物所组成的混合层;氧化物-富矽氧化物-氧化 物所组成的混合层;氧化物-富矽氧化铝-氧化物所 组成的混合层;以及氧化物-含碳化矽奈米微粒的 氧化矽-氧化物所组成的混合层。 29.一种形成垂直氮化物唯读记忆体反及架构记忆 体阵列的方法,其包括: 于基板上形成复数根柱状物以及相关的复数条中 间沟槽; 于该等复数根柱状物之侧壁之上形成复数个氮化 物唯读记忆体记忆体胞;以及 于该等复数根柱状物之顶端处及该等相关的中间 沟槽之底部处形成一或一个以上的源极/汲极区, 以形成复数条氮化物唯读记忆体反及架构记忆体 线串。 30.如申请专利范围第29项之方法,其中该基板系P掺 杂的。 31.如申请专利范围第29项之方法,其进一步包括: 于每个氮化物唯读记忆体反及架构记忆体线串的 下方形成P井隔离区。 32.如申请专利范围第29项之方法,其进一步包括: 于相邻的氮化物唯读记忆体反及架构记忆体线串 之间形成隔离区。 33.如申请专利范围第32项之方法,其中于相邻的氮 化物唯读记忆体反及架构记忆体线串之间形成隔 离区进一步包括:形成氧化物绝缘体的隔离区。 34.如申请专利范围第32项之方法,其中于相邻的氮 化物唯读记忆体反及架构记忆体线串之间形成隔 离区进一步包括:跨越相邻的氮化物唯读记忆体反 及架构记忆体线串间之该隔离区之上形成复数条 字组线,其中每条字组线均被耦合至每个氮化物唯 读记忆体反及架构记忆体线串中单一氮化物唯读 记忆体记忆体胞的控制闸极。 35.如申请专利范围第29项之方法,其中于该等复数 根柱状物之顶端处及该等相关的中间沟槽之底部 处形成一或一个以上的源极/汲极区进一步包括: 在形成该等复数个氮化物唯读记忆体记忆体胞以 前或是形成该等复数个氮化物唯读记忆体记忆体 胞以后,于该等复数根柱状物之顶端处及该等相关 的中间沟槽之底部处形成一或一个以上的源极/汲 极区。 36.如申请专利范围第29项之方法,其中于该等复数 根柱状物以及相关的中间沟槽之侧壁之上形成复 数个氮化物唯读记忆体记忆体胞进一步包括:藉由 于复数个经选定的侧壁的表面上形成闸极-绝缘体 堆叠,以于该等复数根柱状物以及相关的中间沟槽 之侧壁之上形成复数个氮化物唯读记忆体记忆体 胞。 37.如申请专利范围第36项之方法,其中于复数个经 选定的侧壁的表面上形成闸极-绝缘体堆叠进一步 包括:于该等复数个经选定的侧壁的表面上形成隧 道绝缘体、于该隧道绝缘体之上形成陷补层、于 该陷捕层之上形成闸极间绝缘体、以及于该闸极 间绝缘体之上形成控制闸极。 38.如申请专利范围第37项之方法,其中于该等复数 个经选定的侧壁的表面上形成隧道绝缘体、于该 隧道绝缘体之上形成陷捕层、于该陷补层之上形 成闸极间绝缘体、以及于该闸极间绝缘体之上形 成控制闸极进一步包括:于该等复数根柱状物及沟 槽之上沉积隧道绝缘体、氮化物、闸极间绝缘体 、以及控制闸极等每一个别层,并且遮罩且有向性 蚀刻每一层。 39.如申请专利范围第37项之方法,其中于该等复数 个经选定的侧壁的表面上形成隧道绝缘体、于该 隧道绝缘体之上形成陷捕层、于该陷捕层之上形 成闸极间绝缘体、以及于该闸极间绝缘体之上形 成控制闸极进一步包括:于该等复数根柱状物及沟 槽之上沉积隧道绝缘体层、氮化物层、闸极间绝 缘体层、以及控制闸极层,并且遮罩且有向性蚀刻 该等混合层,以产生该闸极-绝缘体堆叠。 40.如申请专利范围第36项之方法,其中于复数个经 选定的侧壁的表面上形成闸极-绝缘体堆叠进一步 包括形成由下面其中一者所组成的闸极-绝缘体堆 叠:氧化物-氮化物-氧化物(ONO);氧化物-氮化物-氧 化铝;氧化物-氧化铝-氧化物;氧化物-碳氧化矽-氧 化物;氧化物-<Ti、Ta、Hf、Zr、或是La等的氧化物>- 氧化物所组成的混合层;氧化物-<Si、N、Al、Ti、Ta 、Hf、Zr、以及La等的非化学标准配比氧化物>-氧 化物所组成的混合层;氧化物-未退火的湿氧化物- 氧化物所组成的混合层;氧化物-富矽氧化物-氧化 物所组成的混合层;氧化物-富矽氧化铝-氧化物所 组成的混合层;以及氧化物-含碳化矽奈米微粒的 氧化矽-氧化物所组成的混合层。 图式简单说明: 图1所示的系一典型的先前技艺的氮化物唯读记忆 体胞的剖面图。 图2所示的系一通道小于100nm之典型的先前技艺的 氮化物唯读记忆体胞的剖面图。 图3A与3B所示的系该先前技艺之平面式反及快闪记 忆体阵列的细部图。 图4A-4D所示的系根据本发明实施例之垂直氮化物 唯读记忆体反及快闪记忆体胞与阵列线串的细部 图。 图5所示的系根据本发明实施例之垂直反及氮化物 唯读记忆体胞与基板的细部图。 图6所示的系根据本发明实施例之垂直反及氮化物 唯读记忆体线串的详细概略图。 图7所示的系根据本发明实施例之电子系统的方块 图。 |
