发明名称 真空断路器的触头
摘要 本发明涉及一种由触头成型材料加工而得的真空断路器触头,其特征是:其中含有重量百分比为20%-60%的Cr,占Cu和Bi总重量的0.05%-1.0%的Bi元素,其余部分实质上为Cu,并形成一个触头形状,然后将所加工的材料进行真空热处理,这种真空断路器的触头不仅具有优良的耐熔焊特性,而且具有优良的耐压特性。
申请公布号 CN1058116A 申请公布日期 1992.01.22
申请号 CN91104551.1 申请日期 1991.06.07
申请人 株式会社东芝 发明人 关经世;奥富功;山本敦史;乙部清文;关口薰旦
分类号 H01H33/66;H01H1/02 主分类号 H01H33/66
代理机构 中国专利代理有限公司 代理人 杨丽琴
主权项 1、一种真空断路器的触头,由加工一种触头成形材料而制成,其特征是:该触头成型材料包含重量百分比为20%~60%的Cr和占Cu与Bi总重量的0.05%~1.0%的Bi元素,其余部分为Cu,并被加工成触头的形状,然后对该加工后的材料进行真空热处理。
地址 日本神奈川县川崎市