| 发明名称 | 半导体器件中电容器的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件中的电容器的方法，包括在衬底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层中形成存储节点接触塞，接触衬底的预定部分；在第一绝缘层和存储节点接触塞上形成第二绝缘层；形成暴露存储节点接触塞的沟槽；在沟槽中形成存储节点；在第二绝缘层和存储节点上形成等离子体阻挡层；在等离子体阻挡层上形成覆盖层并填充沟槽；移除覆盖层、等离子体阻挡层和第二绝缘层；在存储节点上形成电介质层以及在电介质层上形成板状电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101000889A | 申请公布日期 | 2007.07.18 |
| 申请号 | CN200610154115.1 | 申请日期 | 2006.09.08 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 崔亨福 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件中的电容器的方法，该方法包括：在衬底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层中形成存储节点接触塞，接触衬底的预定部分；在第一绝缘层和存储节点接触塞上形成第二绝缘层；形成暴露存储节点接触塞的沟槽；在沟槽中形成存储节点；在第二绝缘层和存储节点上形成等离子体阻挡层；在等离子体阻挡层上形成覆盖层并填充沟槽；移除覆盖层、等离子体阻挡层和第二绝缘层；在存储节点上形成电介质层；和在电介质层上形成板状电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||