| 主权项 |
1.二种以有机发光二极体为基础的结构元件,特别 是一种有机发光二极体(OLED)主动矩阵显示器,包括 一基板、最靠近该基板的一第一电极、远离该基 板的一第二电极,以及配置在两电极之间的至少一 发光有机层,藉以发出的光透过该两电极至少其中 之一传输,且该第一电极是以像素来建构,藉以在 邻近像素间的断面方向上配置一绝缘层,其特征在 于该绝缘层(140)是与该发光层(150)光耦合,并具有 光学作用光散布,及增加异质性(180、190)的填充系 数,其中该绝缘层是被微建构,以符合该第一电极( 130)的像素结构并在其上处理。 2.如申请专利范围第1项的结构元件,其特征在于该 绝缘层(140)具有一介于1.3与2.2之间的折射因子,特 别是介于1.6与2.0之间。 3.如申请专利范围第2项的结构元件,其特征在于该 绝缘层(140)的厚度d是介于0.1微米与10微米之间,特 别是介于0.2微米与5微米之间,藉以d是小于该两邻 近像素最小间距x的一半。 4.如申请专利范围第3项的结构元件,其特征在于该 异质性(180)是配置在该绝缘层(140)中,该异质性是 具有接近0.05微米至5微米的尺寸。 5.如申请专利范围第4项的结构元件,其特征在于该 异质性(180)的体积浓度是介于0.3*b/x与10*b/x之间,其 中b为该异质性的平均直径,而x是该两邻近像素的 最小间距。 6.如申请专利范围第2项的结构元件,其特征在于该 异质性(180)是配置在该绝缘层(140)中,该异质性是 具有接近0.05微米至5微米的尺寸。 7.如申请专利范围第6项的结构元件,其特征在于该 异质性(180)的体积浓度是介于0.3*b/x与10*b/x之间,其 中b为该异质性的平均直径,而x是该两邻近像素的 最小间距。 8.如申请专利范围第1项的结构元件,其特征在于该 绝缘层(140)的厚度d是介于0.1微米与10微米之间,特 别是介于0.2微米与5微米之间,藉以d是小于该两邻 近像素最小间距x的一半。 9.如申请专利范围第8项的结构元件,其特征在于该 异质性(180)是配置在该绝缘层(140)中,该异质性是 具有接近0.05微米至5微米的尺寸。 10.如申请专利范围第9项的结构元件,其特征在于 该异质性(180)的体积浓度是介于0.3*b/x与10*b/x之间, 其中b为该异质性的平均直径,而x是该两邻近像素 的最小间距。 11.如申请专利范围第1项的结构元件,其特征在于 该异质性(180)是配置在该绝缘层(140)中,该异质性 是具有接近0.05微米至5微米的尺寸。 12.如申请专利范围第11项的结构元件,其特征在于 该异质性(180)的体积浓度是介于0.3*b/x与10*b/x之间, 其中b为该异质性的平均直径,而x是该两邻近像素 的最小间距。 13.如申请专利范围第1至第12项中任一项的结构元 件,其特征在于该绝缘层(140)具有一矩阵材料。 14.如申请专利范围第13项的结构元件,其特征在于 该矩阵材料具有外在的光学主动异质性。 15.如申请专利范围第14项的结构元件,其特征在于, 在该等电极(130、160)间配置有一电洞运输层,其是 以一种受体有机材料所p掺杂,并具有一介于20奈米 至2微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈米 之间的厚度。 16.如申请专利范围第15项的结构元件,其特征在于, 在该等电极(130、160)之间配置有一电子运输层,其 是以一种施体有机材料所n掺杂,并具有一介于20奈 米至2微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈 米之间的厚度。 17.如申请专利范围第15项的结构元件,其特征在于, 在该电极(130、160)之间配置有一电洞运输层,其是 以一种硷性材料所n掺杂,并具有一介于20奈米至2 微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈米之 间的厚度。 18.如申请专利范围第14项的结构元件,其特征在于, 在该等电极(130、160)之间配置有一电子运输层,其 是以一种施体有机材料所n掺杂,并具有一介于20奈 米至2微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈 米之间的厚度。 19.如申请专利范围第14项的结构元件,其特征在于, 在该电极(130、160)之间配置有一电洞运输层,其是 以一种硷性材料所n掺杂,并具有一介于20奈米至2 微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈米之 间的厚度。 20.如申请专利范围第13项的结构元件,其特征在于 该绝缘层(140)包括内在光学的主动异质性,特别是 该层材料的空间不同相位或相位限制。 21.如申请专利范围第20项的结构元件,其特征在于, 在该等电极(130、160)间配置有一电洞运输层,其是 以一种受体有机材料所p掺杂,并具有一介于20奈米 至2微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈米 之间的厚度。 22.如申请专利范围第21项的结构元件,其特征在于, 在该等电极(130、160)之间配置有一电子运输层,其 是以一种施体有机材料所n掺杂,并具有一介于20奈 米至2微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈 米之间的厚度。 23.如申请专利范围第21项的结构元件,其特征在于, 在该电极(130、160)之间配置有一电洞运输层,其是 以一种硷性材料所n掺杂,并具有一介于20奈米至2 微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈米之 间的厚度。 24.如申请专利范围第20项的结构元件,其特征在于, 在该等电极(130、160)之间配置有一电子运输层,其 是以一种施体有机材料所n掺杂,并具有一介于20奈 米至2微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈 米之间的厚度。 25.如申请专利范围第20项的结构元件,其特征在于, 在该电极(130、160)之间配置有一电洞运输层,其是 以一种硷性材料所n掺杂,并具有一介于20奈米至2 微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈米之 间的厚度。 26.如申请专利范围第13项的结构元件,其特征在于 该异质性(190)是配置在该绝缘层(140)表面上,并具 有一介于0.05微米至10微米之间的尺寸。 27.如申请专利范围第26项的结构元件,其特征在于, 在该等电极(130、160)间配置有一电洞运输层,其是 以一种受体有机材料所p掺杂,并具有一介于20奈米 至2微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈米 之间的厚度。 28.如申请专利范围第27项的结构元件,其特征在于, 在该等电极(130、160)之间配置有一电子运输层,其 是以一种施体有机材料所n掺杂,并具有一介于20奈 米至2微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈 米之间的厚度。 29.如申请专利范围第27项的结构元件,其特征在于, 在该电极(130、160)之间配置有一电洞运输层,其是 以一种硷性材料所n掺杂,并具有一介于20奈米至2 微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈米之 间的厚度。 30.如申请专利范围第26项的结构元件,其特征在于, 在该等电极(130、160)之间配置有一电子运输层,其 是以一种施体有机材料所n掺杂,并具有一介于20奈 米至2微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈 米之间的厚度。 31.如申请专利范围第26项的结构元件,其特征在于, 在该电极(130、160)之间配置有一电洞运输层,其是 以一种硷性材料所n掺杂,并具有一介于20奈米至2 微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈米之 间的厚度。 32.如申请专利范围第13项的结构元件,其特征在于, 在该等电极(130、160)间配置有一电洞运输层,其是 以一种受体有机材料所p掺杂,并具有一介于20奈米 至2微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈米 之间的厚度。 33.如申请专利范围第32项的结构元件,其特征在于, 在该等电极(130、160)之间配置有一电子运输层,其 是以一种施体有机材料所n掺杂,并具有一介于20奈 米至2微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈 米之间的厚度。 34.如申请专利范围第32项的结构元件,其特征在于, 在该电极(130、160)之间配置有一电洞运输层,其是 以一种硷性材料所n掺杂,并具有一介于20奈米至2 微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈米之 间的厚度。 35.如申请专利范围第13项的结构元件,其特征在于, 在该等电极(130、160)之间配置有一电子运输层,其 是以一种施体有机材料所n掺杂,并具有一介于20奈 米至2微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈 米之间的厚度。 36.如申请专利范围第13项的结构元件,其特征在于, 在该电极(130、160)之间配置有一电洞运输层,其是 以一种硷性材料所n掺杂,并具有一介于20奈米至2 微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈米之 间的厚度。 37.如申请专利范围第1至第12项中任一项的结构元 件,其特征在于该绝缘层(140)包括内在光学的主动 异质性,特别是该层材料的空间不同相位或相位限 制。 38.如申请专利范围第37项的结构元件,其特征在于, 在该等电极(130、160)间配置有一电洞运输层,其是 以一种受体有机材料所p掺杂,并具有一介于20奈米 至2微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈米 之间的厚度。 39.如申请专利范围第38项的结构元件,其特征在于, 在该等电极(130、160)之间配置有一电子运输层,其 是以一种施体有机材料所n掺杂,并具有一介于20奈 米至2微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈 米之间的厚度。 40.如申请专利范围第38项的结构元件,其特征在于, 在该电极(130、160)之间配置有一电洞运输层,其是 以一种硷性材料所n掺杂,并具有一介于20奈米至2 微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈米之 间的厚度。 41.如申请专利范围第37项的结构元件,其特征在于, 在该等电极(130、160)之间配置有一电子运输层,其 是以一种施体有机材料所n掺杂,并具有一介于20奈 米至2微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈 米之间的厚度。 42.如申请专利范围第37项的结构元件,其特征在于, 在该电极(130、160)之间配置有一电洞运输层,其是 以一种硷性材料所n掺杂,并具有一介于20奈米至2 微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈米之 间的厚度。 43.如申请专利范围第1、2、3、4、6、8、9及11项的 结构元件,其特征在于该异质性(190)是配置在该绝 缘层(140)表面上,并具有一介于0.05微米至10微米之 间的尺寸。 44.如申请专利范围第43项的结构元件,其特征在于, 在该等电极(130、160)间配置有一电洞运输层,其是 以一种受体有机材料所p掺杂,并具有一介于20奈米 至2微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈米 之间的厚度。 45.如申请专利范围第44项的结构元件,其特征在于, 在该等电极(130、160)之间配置有一电子运输层,其 是以一种施体有机材料所n掺杂,并具有一介于20奈 米至2微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈 米之间的厚度。 46.如申请专利范围第44项的结构元件,其特征在于, 在该电极(130、160)之间配置有一电洞运输层,其是 以一种硷性材料所n掺杂,并具有一介于20奈米至2 微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈米之 间的厚度。 47.如申请专利范围第43项的结构元件,其特征在于, 在该等电极(130、160)之间配置有一电子运输层,其 是以一种施体有机材料所n掺杂,并具有一介于20奈 米至2微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈 米之间的厚度。 48.如申请专利范围第43项的结构元件,其特征在于, 在该电极(130、160)之间配置有一电洞运输层,其是 以一种硷性材料所n掺杂,并具有一介于20奈米至2 微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈米之 间的厚度。 49.如申请专利范围第1至第12项中任一项的结构元 件,其特征在于,在该等电极(130、160)间配置有一电 洞运输层,其是以一种受体有机材料所p掺杂,并具 有一介于20奈米至2微米之间的厚度,特别是一介于 30奈米至300奈米之间的厚度。 50.如申请专利范围第49项的结构元件,其特征在于, 在该等电极(130、160)之间配置有一电子运输层,其 是以一种施体有机材料所n掺杂,并具有一介于20奈 米至2微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈 米之间的厚度。 51.如申请专利范围第49项的结构元件,其特征在于, 在该电极(130、160)之间配置有一电洞运输层,其是 以一种硷性材料所n掺杂,并具有一介于20奈米至2 微米之间的厚度,特别是一介于30奈米至300奈米之 间的厚度。 52.如申请专利范围第1至第12项中任一项的结构元 件,其特征在于,在该等电极(130、160)之间配置有一 电子运输层,其是以一种够体有机材料所n掺杂,并 具有一介于20奈米至2微米之间的厚度,特别是一介 于30奈米至300奈米之间的厚度。 53.如申请专利范围第1至第12项中任一项的结构元 件,其特征在于,在该电极(130、160)之间配置有一电 洞运输层,其是以一种硷性材料所n掺杂,并具有一 介于20奈米至2微米之间的厚度,特别是一介于30奈 米至300奈米之间的厚度。 54.一种制造以有机发光二极体为基础的结构元件 的方法,特别是一种有机发光二极体(OLED)主动矩阵 显示器,具有以下步骤: -准备一基板, -在该基板上施加显示电子电路, -在该显示电子电路上沈积一具有引线至该显示电 子电路的钝态层, -在该钝态层上施加一像素建构第一电极,其透过 连接至该显示电子的该钝态层的该引线所电传导, -在该建构第一电极上沈积并建构一绝缘层, -沈积至少一发光有机层, -施加一第二电极, 其特征在于提供该绝缘层(140)光学作用光散布及 增加异质性的填充系数。 55.如申请专利范围第54项的方法,其特征在于该绝 缘层(140)是在该第一电极(130)上喷溅、成长或剥离 。 56.如申请专利范围第54项的方法,其特征在于该绝 缘层(140)是利用湿式化学方式沈积在该第一电极( 130)上。 57.如申请专利范围第56项的方法,其特征在于该绝 缘层(140)是从一主动矩阵所形成,其以具有预定尺 寸的散布颗粒(180)所混合。 58.如申请专利范围第55项的方法,其特征在于该绝 缘层(140)是从气相开始气相沈积,藉以该气相沈积 参数的选择,较佳地是以形成多结晶微结构与偏移 的方式。 59.如申请专利范围第55项的方法,其特征在于利用 一冷却喷洒方法置入形成该光学作用异质性的材 料。 60.如申请专利范围第55项的方法,其特征在于为了 形成该绝缘层(140)的目的,至少气相沈积一自身结 晶或一自身部分结晶有机层。 61.如申请专利范围第55项的方法,其特征在于为了 形成该绝缘层(140)的目的,交替地喷溅或气相沈积 该绝缘层的材料与形成该散布中心的材料。 62.如申请专利范围第54至第61项中任一项的方法, 其特征在于该光学异质性(190)是在该绝缘层面离 该第二电极(160)的表面上产生。 63.如申请专利范围第62项的方法,其特征在于利用 压缩一微建构压印(210)或一结构于该绝缘层外部 表面中的方式来建构该表面。 64.如申请专利范围第63项的方法,其特征在于该压 印基本上是沿着该层的纵向方向,于凸出作用的期 间,利用对该绝缘层施加力量(F1、F2)的方式进行。 65.如申请专利范围第62项的方法,其特征在于该绝 缘层(140)的外部表面是以光微影方式所建构。 图式简单说明: 第1图 以原则描述的方法说明根据本发明,具有一 钝态层的基板以及用于一显示器的绝缘层; 第2图 显示在第1图中所显示的基板,于该有机层加 工之后,该上部电极与其封装; 第3a图 显示根据本发明,以顶部发光所配置显示器 的一第一实施例; 第3b图 显示用于第3a图所说明的显示器,关于该像 素建构于该绝缘层中的光学作用异质性配置; 第4a图 显示根据本发明,以底部发光所配置显示器 的一第二实施例; 第4b图 显示用于第4a图所说明的显示器,关于该像 素建构于该绝缘层中的光学作用异质性配置; 第5图 以原则描述的方法说明根据本发明显示器 的一第三实施例,其具有表面建构绝缘层并以顶部 发光; 第6图 以原则描述的方法说明根据本发明显示器 的一第四实施例,其具有表面建构绝缘层并以底部 发光; 第7图 以原则描述的方式说明具有一印记绝缘层 表面建构;以及 第8图 说明具有一印记的主动矩阵显示器的绝缘 层建构。 |
