边缘限定硅膜生长工艺的晶体生长设备与方法

摘要

控制将硅粒引入边缘限定硅膜生长工艺(EFG)坩埚/模具单元(20A)内以在晶体生长过程中补充熔体的改进的机械装置。由供料装置(124)通过坩埚/模具单元(20A)的中心套筒(114)向上注入硅粒，由机械装置阻截注入的硅粒并将其导引，使之落入坩埚的选定区域内的熔体中而其注入速度能减少溅射，从而能减小由于在中心套筒(114)与相邻部件上形成硅固体团而中止生长过程的可能性。本发明还包括应用法拉第环(300)来改变流过加热坩埚模具单元(20A)与机械装置的初级和次级感应加热线圈的电流之比。

主权项

1.用边缘限定硅膜生长工艺生长选定材料的管状晶体的设备，该设备包括：坩埚/模具(20A)，它包括具有底壁、外侧壁与限定一中心孔的内侧壁的坩埚，所述底壁与侧壁一起限定出用来容纳所述选定材料的液体源的内部环形空间，还包括用于由所述液体源来生长成型晶体的毛细模具；支承所述坩埚的热衬托器(108)，该热衬托器具有与所述中心孔对准的通孔；供料分配器/内后加热器组件，它位于所述坩埚上方，且包括供料导向器(138)、供料偏转器(148)与管状内后加热器(160，272)；供料管(124)，用于将所述选定材料的固体料粒注入所述坩埚上方的空间内，所述供料管穿过所述通孔和所述中心孔延伸，并且所述供料管的上端终止于所述坩埚上方；供料偏转器(146)，其位于所述供料管的上端上方，定位成阻截所述料粒并使之偏转向下朝向所述坩埚；供料导向器(138)，其围绕所述供料管处在所述偏转器下方，定位成阻截从所述供料偏转器落下的所述选定材料的料粒；所述管状内后加热器与所述毛细模具同轴且围绕所述供料导向器和供料偏转器；所述供料偏转器与所述供料导向器包括相互面对并且基本平行的锥形表面，所述基本平行的锥形表面相互近距离地分开并一起确定出一倾斜的环形间隙，所述环形间隙终止于一环形排料孔，该环形排料孔处于所述坩埚上方，位于靠近所述坩埚上端的位置且位于所述坩埚的内、外侧壁之间。