制造半导体器件的方法

摘要

本发明公开一种制造半导体器件的方法，该方法在高电压区域形成厚栅氧化物膜且在单元区域中形成薄隧穿氧化物膜。制造该半导体器件的方法是通过在该高电压区域中生长约400埃厚度的栅氧化物膜，且进行使用BOE溶液的蚀刻过程及使用H₃PO₄的蚀刻过程，分别达120秒与12分钟，以移除在该单元区域中残余氮化物膜，因而减少过程时间且改进在该高电压区域中的栅氧化物膜的均匀性。

主权项

1.一种用以制造半导体器件的方法，其包括下列步骤：依序在半导体基底上形成衬垫氧化物膜、氮化物膜与氧化物膜，并且通过移除在高电压区域中的该氧化物膜与该氮化物膜，以曝露该衬垫氧化物膜；依据预清洗过程移除在该高电压区域中的该衬垫氧化物膜，并且移除在单元区域中的氧化物膜；依据第一氧化过程，在该高电压区域中形成栅氧化物膜；通过进行使用浓度为200∶1到300∶1的BOE溶液的蚀刻过程及使用H3PO4的蚀刻过程分别达120秒与12分钟，移除在该单元区域中残余的氮化物膜，在高电压区域中的栅氧化物膜为部分凹进；依据预清洗过程移除在该单元区域中的衬垫氧化物膜，在高电压区域中的栅氧化物膜为部分凹进；及依据第二氧化过程在该单元区域中形成隧穿氧化物膜。