发明名称 偏硼酸钡(β-BBO)单晶的恒液面提拉法生长
摘要 一种采用恒液面法连续提拉β-BBO大单晶,用伺服坩埚进行间歇加料,伺服坩埚与生长坩埚连通,可以实现边加料、边提拉。由于生长过程中温场恒定,晶体完整性好、透明度高、包裹体少。晶体尺寸大等优点,可大幅度提高成品率。
申请公布号 CN1057868A 申请公布日期 1992.01.15
申请号 CN90102894.0 申请日期 1990.07.06
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明人 仲维卓;路治平;赵天德;洪慧聪
分类号 C30B15/00;C30B29/10 主分类号 C30B15/00
代理机构 中国科学院上海专利事务所 代理人 聂淑仪
主权项 1、一种用熔剂恒液面连续提拉β-BBO大单晶的方法,采用Na2-BaB2O4作熔剂,其特征在于: 按下述流程进行: (1)原料制备: 采用Na2-BaB2O4按重量%为20-30:80~70配制,球磨混料至均匀; 静水压10-50吨/cm2成型; (2)籽晶定向C(0001);误差2-4; (3)坩埚准备:与生长坩埚连通的伺服坩埚,作加料坩埚,进行连续自控、间歇加料; (4)生长条件: 温度910℃-925℃; 拉速0.8-1.0毫米/天; 转速5-15转/分 温梯20~50℃/厘米。
地址 200050上海市长宁区长宁路865号