发明名称 | 偏硼酸钡(β-BBO)单晶的恒液面提拉法生长 | ||
摘要 | 一种采用恒液面法连续提拉β-BBO大单晶,用伺服坩埚进行间歇加料,伺服坩埚与生长坩埚连通,可以实现边加料、边提拉。由于生长过程中温场恒定,晶体完整性好、透明度高、包裹体少。晶体尺寸大等优点,可大幅度提高成品率。 | ||
申请公布号 | CN1057868A | 申请公布日期 | 1992.01.15 |
申请号 | CN90102894.0 | 申请日期 | 1990.07.06 |
申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 仲维卓;路治平;赵天德;洪慧聪 |
分类号 | C30B15/00;C30B29/10 | 主分类号 | C30B15/00 |
代理机构 | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人 | 聂淑仪 |
主权项 | 1、一种用熔剂恒液面连续提拉β-BBO大单晶的方法,采用Na2-BaB2O4作熔剂,其特征在于: 按下述流程进行: (1)原料制备: 采用Na2-BaB2O4按重量%为20-30:80~70配制,球磨混料至均匀; 静水压10-50吨/cm2成型; (2)籽晶定向C(0001);误差2-4; (3)坩埚准备:与生长坩埚连通的伺服坩埚,作加料坩埚,进行连续自控、间歇加料; (4)生长条件: 温度910℃-925℃; 拉速0.8-1.0毫米/天; 转速5-15转/分 温梯20~50℃/厘米。 | ||
地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号 |