| 发明名称 | 功率晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及功率晶体管的制造方法，其主要特点是：(1)集电极多层金属化时，上粘附层所采用的金属与硅芯片低温下形成金属硅化物；(2)阻挡层分别与上粘附层和下粘附层之间溅射形成交叉层；(3)将管芯焊在管壳上时采用了新软焊料，采用本方法生产功率晶体管的间歇寿命达1.5万～3万次以上。 | ||
| 申请公布号 | CN1015306B | 申请公布日期 | 1992.01.15 |
| 申请号 | CN89106857.0 | 申请日期 | 1989.11.23 |
| 申请人 | 山东师范大学 | 发明人 | 薛成山;田淑芬;庄惠照;陆大荣;任忠祥 |
| 分类号 | H01L21/58;H01L23/48 | 主分类号 | H01L21/58 |
| 代理机构 | 山东省高等院校专利事务所 | 代理人 | 李荣升;刘国涛 |
| 主权项 | 1.功率晶体管的制造方法，管芯完成后，再进行多层金属化及焊接工序，其特征在于：(1).溅射上粘附层3Ti(钛)，并在温度100-300℃条件下形成Ti-Si(钛-硅)化合物，上粘附层3的厚度为100-500埃；(2).溅射上粘附层3和阻挡层5的交叉层4厚度为5～100埃；(3).溅射阻挡层5Pd(钯)、Mo(钼)、W(钨)任一种，厚度为1000～3000埃；(4).溅射阻挡层5与下粘附层7的交叉层6厚度为5～100埃；(5).溅射下粘附层7Ag(银)、Au(金)任一种，厚度为1000～50000埃；(6).用焊料A(8)将管芯焊在管座9上，焊料A(8)的配比为：Sn(锡)70～90％、Ag(银)5～20％、Sb(锑)2.5～8.5％、Ni(镍)0.5～1％、Cu(铜)0.049～1％、Te(碲)0.01～0.5％。 | ||
| 地址 | 250014山东省济南市文化东路38号 | ||