| 主权项 |
1﹒如下式o一胺磺醯羟乙醯胺衍生物之制法式中R1及R2可相同或相异而为可用卤素,烷氧基或烷硫基取代之C1─6饱和或不饱和之烷基,环烷基或烷氧基,或R1及R2共形成可用低级烷基取代之杂环,R3为氢或低级烷基为可用低级烷基取代之单环或双环之杂环。其特征为令如下式双取代胺磺醯卤式中X为卤素,R1及R2同上。与如下式羟基醯胺衍生物式中R1及─N同上。宜在如有机硷或无机硷(如氢化钠,胺基钠,烷醇钠,硷金属等)等酸结合剂之存在下,于如烃,卤代烃,醚类等惰性有机溶剂之存在或不存在下,在冷─溶剂之沸点之温度范围反应。2﹒如下式O一胺磺醯羟乙醯胺衍生物之制法式中R1及R2可相同或相异而为可用卤素,烷氧基或烷硫基取代之C1─6饱和或不饱和之烷基,环烷基或烷氧基,R2为氢或低级烷基, 为可用低级烷基取代之单环或双环之杂环,其特征为令如下式化合物式中R1,R3及─N同上,与具有烷基部分R2(但R2同上)之硫酸二酯或卤化烷基等烷化剂,宜在碳酸钾等无机硷或如叔胺等有机硷等酸结合剂之存在下,于如烃,卤代烃、醚类,酮类,水等溶剂之存在或不存在下,于室温-溶剂之沸点之温度范围反应。3﹒依请求专利部份第1项之制法,其中烷化剂为硫酸烷酯或卤化烷基。 |
