THIN BURIED OXIDES BY LOW-DOSE OXYGEN IMPLANTATION INTO MODIFIED SILICON,申请号KR20067004269-传众专利搜索

发明名称	THIN BURIED OXIDES BY LOW-DOSE OXYGEN IMPLANTATION INTO MODIFIED SILICON
摘要
申请公布号	KR100861739(B1)	申请公布日期	2008.10.06
申请号	KR20067004269	申请日期	2006.02.28
申请人		发明人
分类号	H01L21/20;H01L21/265;H01L21/3063;H01L21/316;H01L21/762;H01L27/12	主分类号	H01L21/20
代理机构		代理人
主权项
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