发明名称 单晶衬底及其切割方法
摘要 公开一种单晶衬底及其切割方法。单晶衬底包括具有SAW传播表面的钽酸锂衬底;和在所述表面上具有用来发射和/或检测表面声波的电极的输入和输出IDT,其中表面波的传播方向平行于X’轴,并且该衬底还具有垂直于所述表面的Z’轴和平行于该表面且垂直于X’轴的Y’轴,钽酸锂衬底具有由修正轴X、Y和Z所限定的晶体取向,轴X’、Y’和Z’的相对取向由欧拉角φ、θ和ψ限定,其中φ的范围为-5°≤φ≤+5°,θ的范围为70°≤θ≤90°,ψ的范围为85°≤ψ≤95°,或其中φ的范围为-5°≤φ≤+5°,θ的范围为20°≤θ≤40°,ψ的范围为5°≤ψ≤25°,或其中φ=0°,θ=168°和ψ=90°。
申请公布号 CN101330281A 申请公布日期 2008.12.24
申请号 CN200810126936.3 申请日期 2003.06.25
申请人 LG伊诺特有限公司 发明人 瓦连京·切列德尼克;德弗舍尔斯托夫·米哈伊尔;崔用林
分类号 H03H9/02(2006.01) 主分类号 H03H9/02(2006.01)
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 蔡胜有;王春伟
主权项 1.一种单晶衬底,包括:具有SAW传播表面的钽酸锂衬底;和在所述表面上具有用来发射和/或检测表面声波的电极的输入和输出IDT,其中表面波的传播方向平行于X’轴,并且该衬底还具有垂直于所述表面的Z’轴和平行于该表面且垂直于X’轴的Y’轴,所述的钽酸锂衬底具有由修正轴X、Y和Z所限定的晶体取向,轴X’、Y’和Z’的相对取向由欧拉角φ、θ和ψ限定,其中φ的范围为-5°≤φ≤+5°,θ的范围为70°≤θ≤90°,ψ的范围为85°≤ψ≤95°,或其中φ的范围为-5°≤φ≤+5°,θ的范围为20°≤θ≤40°,ψ的范围为5°≤ψ≤25°,或其中φ=0°,θ=168°和ψ=90°。
地址 韩国首尔
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