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<p>Es wird ein Verfahren zur Strukturierung eines einkristallinen Silizium-Trägers durch naßchemisches Ätzen mit einer anisotropen Ätzlösung vorgeschlagen. Dabei wird eine Maskierschicht auf den Silizium-Träger aufgebracht und mit Hilfe der Fotomaskierungstechnik strukturiert, wobei Öffnungen in der Maskierschicht entstehen, durch die die anisotrope Ätzlösung auf den Silizium-Träger einwirken kann. In dem Bereich des Silizium-Trägers, in dem eine Ausnehmung eingeätzt werden soll, wird eine strukturierte Öffnung in die Maskierschicht eingebracht. Diese besteht mindestens aus zwei, durch dünne in der Maskierschicht ausgebildete Stege getrennten Teilöffnungen. Durch Einätzen in die strukturierte Öffnung entsteht entsprechend jeder Teilöffnung eine Teilausnehmung im Silizium-Träger. Durch Fortsetzen des Ätzprozesses werden zunächst die in der Maskierschicht ausgebildeten dünnen Stege unterätzt, so daß sich die Teilausnehmungen zu einer Gesamtausnehmung vereinen. Im Anschluß daran wird die Grundfläche dieser Ausnehmung geebnet.</p> |
