| 摘要 |
<p>L'invention concerne un dispositif semi-conducteur monolithique intégré dans lequel sont diffusées, dans un substrat (2) qui présente, sous une première surface principale (3), un faible dopage (zone n- du substrat) et, sous une deuxième surface principale (4), un fort dopage (zone n+ du substrat), une première zone (p) et une deuxième zone (n+) de la première surface principale. Contre la première surface principale (3) est disposée une couche de passivation isolante (5), au-dessus de laquelle se trouve une électrode métallique de couverture (D) qui recouvre des zones contiguës (n-) du substrat et les zones périphériques de la première zone (p) et de la deuxième zone (N+). Dans l'invention, pour augmenter la tension de claquage, une zone supplémentaire (∑) au moins, de même type de conductibilité que la zone (N+) qui lui est associée, mais avec un dopage plus faible, est diffusée à l'intérieur et elle présente la liaison à la zone (N+), elle ne touche pas l'autre zone (p) et elle empêche qu'au-dessous de l'électrode de couverture (D) la zone (n+) soit directement au contact du substrat (n-).</p> |
