| 摘要 |
On propose un procédé de structuration d'un support en silicium monocristallin par attaque chimique humide avec une solution d'attaque anisotrope. Une couche de masquage est appliquée sur le support en silicium et structurée par la technique du photomasquage. On forme ainsi, dans la couche de masquage, des ouvertures à travers lesquelles la solution d'attaque anisotrope peut agir sur le support en silicium. Dans la zone du support en silicium où l'on doit créer un évidement par attaque, on fait une ouverture structurée dans la couche de masquage. Cette ouverture se compose d'au moins deux ouvertures partielles séparées par de minces nervures formées dans la couche de masquage. L'attaque par l'intermédiaire de l'ouverture structurée produit dans le support en silicium un évidement partiel pour chaque ouverture partielle. Lorsqu'on poursuit l'attaque, les minces nervures formées dans la couche de masquage sont d'abord attaquées par en dessous, de sorte que les évidements partiels se rejoignent pour former un évidement global. Ensuite, le fond de cet évidement est aplani. |
