Method of producing and passivating of semiconductor devices.

摘要

In einem Verfahren zur Herstellung und Passivierung von Bauelement-Bereichen in III-V-Halbleitersubtraten wird vor Aufbringen von Isolier- oder Passivierschichten eine Vorbehandlung der Substratoberfläche in einem Halogen-Kohlenstoff-Plasma durchgeführt. Die erzeugten Bauelemente weisen gegenüber ohne die Vorbehandlung hergestellten Bauelemente wesentlich verbesserte elektrische Werte, insbesondere einen niedrigen Sperrstrom (Dunkelstrom) auf.