| 摘要 |
본 발명에 따라서 기판 상에 고유전율 금속 산화막을 형성하는 단계와; 상기 금속 산화막에 대하여 플라즈마 가스를 이용하여 건식 세정하는 단계로서, 상기 건식 세정 단계는 질소, 수소 및 불소를 포함하는 반응가스에 플라즈마 가스를 적용하여 활성화된 불소(F)를 형성하고, 이 활성화된 불소가 상기 금속 산화막을 통해 확산하여 상기 기판과 금속 산화막 사이에 형성되는 계면 산화막과 반응하도록 하는 것인, 상기 건식 세정 단계와; 상기 금속 산화막 상에 게이트 전극막을 형성하는 단계와; 상기 금속 산화막과 게이트 전극막을 식각하여 게이트 영역을 형성하는 단계와; 소스/드레인을 형성하는 단계와; 층간 절연막을 형성하는 단계와; 상기 층간 절연막에 컨택트 홀을 형성하고 통전 물질을 증착하여 컨택트를 형성하는 단계와; 상기 컨택트를 비롯한 층간 절연막 상에 금속막을 형성하고 패터닝하여 금속 배선을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 계면 산화막의 두께는 상기 건식 세정 공정을 수행하지 않은 경우의 계면 산화막의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법이 제공된다. |
