| 摘要 |
Ce procédé de fabrication comprend les étapes suivantes: dépôt d'une couche (14) en un premier isolant électrique sur le circuit intégré; dépôt, sur la couche de premier isolant, d'une couche d'arrêt (28) en un matériau fortement résistif ou isolant apte à être gravé sélectivement par rapport au premier isolant et à un second isolant électrique; réalisation, en regard de l'élément actif, d'une première ouverture dans la couche d'arrêt, fixant les dimensions, au niveau de l'élément actif (11) du contact électrique à réaliser; dépôt sur la structure obtenue en c d'au moins une couche (30-16) de second isolant; réalisation, en regard de la première ouverture, d'une seconde ouverture dans la couche de second isolant, la seconde ouverture ayant une largeur supérieure à celle de la première ouverture; gravure du premier isolant mis à nu lors de l'étape e, en utilisant la couche d'arrêt gravée comme masque réalisant ainsi un trou de contact électrique (24b), et métallisation (22a) de ce trou de contact. |
