发明名称 可擦式存取存贮器
摘要 本发明属电子计算机技术领域,是一种可擦除式存取存贮器(EAST),包括电子枪、电子轰击靶和偏转器三个部分。其中电子轰击靶是一个特殊的叠层薄膜,它采用新材料金属有机络合物M<SUB>1-β</SUB>(TCNQ)制备获得。该器件可以有较高的存贮密度,每平方厘米中的存贮量,按5μ平面工艺,即达1兆位,以1μ平面工艺,则可达25兆位,接近光盘存贮量,而寻址速度远远高于光盘存贮器。此外,该器件工艺简单,成本低廉,材料容易获得,为计算机硬件开发开辟了新的前景。
申请公布号 CN1057541A 申请公布日期 1992.01.01
申请号 CN91107453.8 申请日期 1991.07.17
申请人 复旦大学 发明人 华中一;陈国荣
分类号 G11C11/21 主分类号 G11C11/21
代理机构 复旦大学专利事务所 代理人 陆飞
主权项 1、一种高密度电子存贮器,特别是一种可擦式存取存贮器,包括电子轰击靶1、发射电子束的电子枪2和偏转器3三个部分,其特征在于所说的靶1为一个迭层薄膜,该薄膜的结构如下:基板4上依次为蒸镀的半透明铝层5,金属有机络合物M1-β(TCNQ)层6和铝层斑点阵7,这里金属M为Li、K、Na、Ag和Cu的一种或其组合,0.2≤β≤0.5。
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