Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit Metallgate und Halbleiterwiderständen, die auf der Grundlage eines Austauschgateverfahrens hergestellt sind

摘要

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, wobei das Verfahren umfasst: Bilden einer Gateelektrodenstruktur über einem aktiven Gebiet und einer nicht-Transistorstruktur über einer Isolationsstruktur, wobei die Gateelektrodenstruktur und die nicht-Transistorstruktur ein Halbleitermaterial und ein über dem Halbleitermaterial gebildetes dielektrisches Deckmaterial aufweisen; Bilden einer Seitenwandabstandshalterstruktur an Seitenwänden der Gateelektrodenstruktur und der nicht-Transistorstruktur; Entfernen der dielektrischen Deckschicht selektiv in Kontaktbereichen der nicht-Transistorstruktur, während die dielektrische Deckschicht in der Gateelektrodenstruktur und in einem Teil der nicht-Transistorstruktur beibehalten wird; Bilden eines Metallsilizids in den Kontaktbereichen und in Drain- und Sourcegebieten des aktiven Gebiets in Anwesenheit der bewahrten dielektrischen Deckschicht; Bilden eines dielektrischen Materials derart, dass die Gateelektrodenstruktur und die nicht-Transistorstruktur lateral umschlossen werden; und Ersetzen des Halbleitermaterials durch zumindest ein metallenthaltendes Elektrodenmaterial selektiv in der Gateelektrodenstruktur, während zumindest ein Teil des Halbleitermaterials in der nicht-Transistorstruktur bewahrt wird, wobei Ersetzen des Halbleitermaterials in der Gateelektrodenstruktur durch zumindest ein metallenthaltendes Elektrodenmaterial umfasst: selektives Entfernen eines Teils des Halbleitermaterials in der nicht-Transistorstruktur derart, dass darin eine Vertiefung erzeugt wird, während die dielektrische Deckschicht in der Gateelektrodenstruktur bewahrt wird, Bilden einer Maskenschicht über der Gateelektrodenstruktur und der abgesenkten nicht-Transistorstruktur und Freilegen des Halbleitermaterials in der Gateelektrodenstruktur durch Ausführen eines Einebnungsprozesses.