BIPOLAR-TRANSISTOR TYPE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE HAVING A REDUNDANCY CONFIGURATION,申请号EP19850307562-传众专利搜索

发明名称	BIPOLAR-TRANSISTOR TYPE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE HAVING A REDUNDANCY CONFIGURATION
摘要
申请公布号	EP0178950(B1)	申请公布日期	1991.12.27
申请号	EP19850307562	申请日期	1985.10.18
申请人	FUJITSU LIMITED	发明人	FUKUSHI, ISAO;AWAYA, TOMOHARU
分类号	G11C29/00	主分类号	G11C29/00
代理机构		代理人
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