OVERVOLTAGE PROTECTION CIRCUIT FOR MOS COMPONENTS.

摘要

L'invention concerne un circuit de protection contre les surtensions pour des composants métal-oxyde-semiconducteur (MOS), comprenant une résistance (R), un transistor à oxyde de champ (FOX) et un transistor à oxyde mince (DOX). Le transistor bipolaire parasitaire qui se trouve à l'intérieur du transistor à oxyde de champ est optimisé dans son comportement au claquage, de telle façon que le transistor à oxyde de champ peut dériver l'énergie totale d'une impulsion de surtension, de façon sûre, par rapport à la tension de référence (VSS). Les dispositions indiquées permettent de réduire les détériorations thermiques connues sous le nom de "spiking", pouvant entraîner un fonctionnement défectueux du composant MOS.