| 主权项 |
1.一种使贵金属触媒活化及/或再生之方法,其包括在200℃到500℃的温度且实质上无氢的情形下,用含有化学式为CnHmFpXq之碳氟卤化合物或氟基卤基烃的空气接触该触媒历超过15分钟,其中,X为氯及/或溴;n为一由1至6的整数;m为一由0至6的整数,条件是,m不可以超过该化合物中之总n;当该化合物为无环化合物时,p和q都是由1-13之整数,而当该化合物为环状化合物时,彼等则都是由1-11之整数,条件是,该碳氟卤化合物及/或氟基卤基烃经常含有至少一个氯或溴原子,且当该化合物为无环化合物时,m+p+q=2n+2,而当该化合物为环状化合物时,则m+p+q=2n。2.如申请专利范围第1项之方法,其中之温度范围系由225℃至350℃。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该触媒和该碳氟卤化合物或氟基卤基烃之该接触时间介于三小时和四小时。4.如申请专利范围第1项之方法,其中所使用之贵金属触媒系选择自钌、铑、钯、铱及铂及/或彼等之混合物。5.如申请专利范围第4项之方法,其中之贵金属触媒不在载体上。6.如申请专利范围第4项之方法,其中之贵金属触媒系在载体上。7.如申请专利范围第6项之方法,其中之贵金属触媒系载于选自碳、氧化铝、轻氟化之氧化铝、氟化铝及氟化钙之载体上。8.如申请专利范围第7项之方法,其中之触媒系载于碳载体上。9.如申请专利范围第4项之方法,其中之贵金属系钯。10.如申请专利范围第1项之方法,其中接触方法中系使用碳氟氯化合物。11.如申请专利范围第1项之方法,其中接触方法中系使用碳氟氯溴化合物。12.如申请专利范围第10项之方法,其中该碳氟氯化合物中,碳原子之数目,n,系由1至3。13.如申请专利范围第1项之方法,其中存在选自氮、氦及氩之气体及/或彼等之混合物。14.如申请专利范围第1项之方法,其系在批式反应器中执行。15.如申请专利范围第1项之方法,其系在固定床反应器中执行。16.如申请专利范围第1项之方法,其中化学式CnHmFpXq所代表之碳氟卤化合物及/或氟基卤基烃的n为1至3,m为0至4,p为1至7,且q为1至7。17.如申请专利范围第1项之方法,其中接触方法中系使用 |
