| 摘要 |
<P>Le composant est du type comportant: une électrode inférieure (2), formant soit émetteur ou source, soit collecteur ou drain; une électrode centrale de commande (21, 25), formant base ou grille; et une électrode supérieure (4), formant, respectivement, soit collecteur ou drain, soit émetteur ou source, un matériau semiconducteur (3) étant disposé entre l'électrode supérieure et l'électrode inférieure, et l'électrode de commande étant configurée au sein de ce matériau en une pluralité de doigts conducteurs adjacents définissant, dans l'intervalle transversal les séparant, au moins un canal semiconducteur (8) s'étendant verticalement entre l'électrode supérieure et l'électrode inférieure et dont la conduction est commandée par la polarisation de l'électrode de commande. <BR/> Selon l'invention, la région située, au droit des doigts, entre l'électrode de commande (21, 25) et l'électrode inférieure (2) comprend un matériau isolant (20), de manière à réduire la capacité parasite entre électrode de commande et électrode inférieure. <BR/> Très avantageusement, les doigts de l'électrode de commande (21, 25) comprenant chacun un dépôt conducteur (25) au fond d'une tranchée respective (7) creusée dans ledit matériau semiconducteur et les flancs de cette tranchée étant recouverts d'une couche de matériau de passivation (23), il est prévu entre lesdits flancs de tranchée et les flancs dudit dépôt conducteur un intervalle (27) à faible constante diélectrique, notamment constitué d'une région transversale dépourvue de matériau, de manière à réduire toute commande parasite du composant par les flancs de tranchée.</P>
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