| 发明名称 | 具有垂直汽相淀积工艺形成的发射极的非平面场发射器件 | ||
| 摘要 | 具有锥形发射极112，208的冷阴极场发射器件，发射极用基本垂直(但不绝对垂直)的汽相淀积过程109形成，其中，衬底101，201无需相对汽相淀积靶旋转。汽相淀积过程形成一封装层111，207，它可用作完成器件中的电极或被去掉以利其它层的形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1057125A | 申请公布日期 | 1991.12.18 |
| 申请号 | CN91100957.4 | 申请日期 | 1991.02.08 |
| 申请人 | 莫托罗拉公司 | 发明人 | 戈罗肯·赫伯特;凯恩·罗伯特 |
| 分类号 | H01J9/02;H01J1/30;H01J19/24;H01J21/00 | 主分类号 | H01J9/02 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 乔晓东 |
| 主权项 | 1、一种形成基本上非平面的冷阴极场发射器件的方法，其特征在于下列步骤： a)提供一具有腔体107的坯体； b)只利用基本上垂直(但不绝对垂直)的汽相淀积工艺109在腔体内形成一发射极112，其中，腔体在汽相淀积过程中被逐渐封闭。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺斯 | ||