发明名称 |
DEVICE FOR PRODUCING HIGH-DISSOCIATION PRESSURE COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND PRODUCTION |
摘要 |
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申请公布号 |
JPH03285886(A) |
申请公布日期 |
1991.12.17 |
申请号 |
JP19900072959 |
申请日期 |
1990.03.22 |
申请人 |
MITSUBISHI MATERIALS CORP;RES DEV CORP OF JAPAN;SEMICONDUCTOR RES FOUND |
发明人 |
SASA KOICHI;SHIRATA TAKAHARU;ATAMI TAKASHI |
分类号 |
C30B15/00;C30B15/02;C30B29/40;H01L21/02;H01L21/208 |
主分类号 |
C30B15/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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