发明名称 DEVICE FOR PRODUCING HIGH-DISSOCIATION PRESSURE COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND PRODUCTION
摘要
申请公布号 JPH03285886(A) 申请公布日期 1991.12.17
申请号 JP19900072959 申请日期 1990.03.22
申请人 MITSUBISHI MATERIALS CORP;RES DEV CORP OF JAPAN;SEMICONDUCTOR RES FOUND 发明人 SASA KOICHI;SHIRATA TAKAHARU;ATAMI TAKASHI
分类号 C30B15/00;C30B15/02;C30B29/40;H01L21/02;H01L21/208 主分类号 C30B15/00
代理机构 代理人
主权项
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