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发明名称 INTEGRATABLE POWER TRANSISTOR WITH OPTIMIZATION OF DIRECT SECONDARY BREAKDOWN PHENOMENA
摘要
申请公布号 US5073811(A) 申请公布日期 1991.12.17
申请号 US19900540553 申请日期 1990.06.20
申请人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L. 发明人 BOTTI, EDOARDO;TORAZZINA, ALDO
分类号 H01L21/331;H01L21/8222;H01L27/06;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/73;H01L29/732 主分类号 H01L21/331
代理机构 代理人
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