| 发明名称 |
PLASMA ETCHING INDIUM TIN OXIDE |
| 摘要 |
On décape de l'oxyde stannique d'indium à l'aide d'un plasma contenant CH3. et Ar+. Les ions argon entraînent une augmentation significative de la vitesse de décapage. |
| 申请公布号 |
WO9119324(A1) |
申请公布日期 |
1991.12.12 |
| 申请号 |
WO1991US03901 |
申请日期 |
1991.06.03 |
| 申请人 |
EASTMAN KODAK COMPANY |
发明人 |
ROSELLE, PAUL, L. |
| 分类号 |
H01L21/302;H01L21/3065;H01L27/14;H01L31/18 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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