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Eine nichtflüchtige Halbleiter-Speicherzelle, insbesondere für integrierte programmierbare Festwertspeicher PROMs), hat eine Leiterbahn (Fuse) (1) aus polykristallinem Silizium, deren elektrische Leitfähigkeit durch Stromdurchgang eines Programmierstromes wesentlich herabgesetzt werden kann. Diese Leiterbahn (1) liegt in Reihe mit der Schaltstrecke eines Halbleiter-Schaltelementes in Form eines hinsichtlich der zum Herabsetzen der Leitfähigkeit der Leiterbahn erforderlichen Programmierstromes unterdimensionierten MOS-FET (11), der auf einem Halbleitersubstrat ausgebildet ist, in welchem sich ein mit dem MOS-FET (11) unmittelbar gekoppelter und unter Programmierbedingungen zusammenwirkender parasitärer lateraler bipolarer Transistor ergibt, der bei Betrieb in einem vorbestimmten, unterhalb der Breakdownspannung liegenden Spannungsbereich unter Ansteuerung durch die Gatespannung über Stoßionisation vom Kanalstrom des MOS-FET (11) in den leitenden Zustand bringbar ist und in diesem Zustand die erforderliche Programmierenergie zu schalten imstande ist, wozu der MOS-FET (11) allein wegen seiner zu kleinen Dimensionierung nicht in der Lage wäre, und nach dem Durchbrennen der Fuse (1) selbsttätig ausschaltet. <IMAGE> |
