Contact metallisation on semiconductor material.

摘要

Kontaktmetallisierung auf Halbleitermaterial (a), insbesondere für GaAs-Transistoren, mit einer den eigentlichen Metall-Halbleiter-Kontakt (f) bildenden Metallschicht (b), mit einer Anschlußmetallisierung (d) zur Kontaktverstärkung und mit einer zwischen diesen Schichten angeordneten Diffusionsbarriere (c), die zum Schutz und zur Erhöhung der Dauerhaftigkeit der Metallschicht (b) auf die Oberfläche dieser Metallschicht (b) bis zu den Kanten reichend aufgebracht ist.