首页
产品
黄页
商标
征信
会员服务
注册
登录
全部
|
企业名
|
法人/股东/高管
|
品牌/产品
|
地址
|
经营范围
发明名称
MOS-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT
摘要
申请公布号
GB9122712(D0)
申请公布日期
1991.12.11
申请号
GB19910022712
申请日期
1991.10.25
申请人
FUJI ELECTRIC CO LTD
发明人
分类号
H01L29/49;H01L29/739
主分类号
H01L29/49
代理机构
代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
灯盏花乙素注射制剂及其制备方法
一种“无余隙”型曲轴驱动活塞往复式压缩机的设计方案
数据网络中的有意识的寻址和资源查询
骨康药物制剂及其制备方法
甘蔗收割机
清洁环保型甲醇柴油
一种治疗绝经后骨质疏松症的中药复方制剂及其制备
一种具有多种供电方式的太阳能遮阳灯光伞
断路器操作机构的脱扣装置
一种酒萸肉的炮制方法
一种治疗乳腺癌及淋巴癌的外用中草药膏
含有聚氧乙烯聚氧丙烯醚的阻焦剂及其制备
一种七叶皂苷口腔崩解片及其制备方法
镁合金表面功能梯度膜制备方法
一种治疗银屑病的中成药
新型环保墨水盒
用于互联网电子商务中的物流竞价系统及方法
培养猪苓菌丝体形成猪苓菌核的新方法
一种实现单PVC多业务的方法和接入设备
一种益气复脉口腔崩解片及其制备方法