| 发明名称 |
DISPOSITIVO DI MEMORIA A SEMI-CODUTTORI CON CELLA A CONDESANTORE IMPI LATO E PROCEDIMENTO PER LA SUA FABBRICAZIONE. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT9048191(A1) |
申请公布日期 |
1991.12.01 |
| 申请号 |
IT19900048191 |
申请日期 |
1990.07.31 |
| 申请人 |
SAMSUNG-ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
AHN TAE-HYUK |
| 分类号 |
H01L27/04;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/102;H01L27/108 |
主分类号 |
H01L27/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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