| 摘要 |
<P>Un dispositif à semiconducteurs pour un amplificateur de sortie de forte puissance comporte un substrat (4) ayant une épaisseur réduite, et une électrode faisant fonction de radiateur thermique, formée sur la surface arrière du substrat. Le dispositif comprend un motif métallisé (13) qui est formé au moyen d'une couche de revêtement de métal entourant la périphérie de l'élément, la surface latérale de l'élément et l'électrode faisant fonction de radiateur thermique, sauf au voisinage de parties d'entrée/sortie de haute fréquence (8, 9). Cette structure permet d'empêcher un endommagement du dispositif sous l'effet de petites fissures et d'un ébrèchement se produisant au moment de l'opération de fixation de puce. De plus, on peut éviter que la matière de brasage tendre qui monte sur la surface de l'élément ne soit connectée à la pellicule de métal.</P> |
