| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN MASQUE. |
| 摘要 |
<P>Procédé de fabrication d'un masque possédant une région de déphasage (19) comportant les étapes consistant à: appliquer une plaque de masque (13) opaque et une pellicule photosensible (15) sur une surface d'un substrat transparent (11); exposer une partie prédéterminée de la plaque de masque; exposer une partie prédéterminée du substrat en gravant une partie exposée de la plaque de masque; former une région de motif (17) en gravant le substrat à une épaisseur prédéterminée; former une région de déphasage (19) en gravant horizontalement le côté de la plaque de masque; et éliminer la pellicule photosensible. <BR/> Application à la réalisation de dispositifs à semiconducteurs à degré d'intégration élevé.</P>
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| 申请公布号 |
FR2662518(A1) |
申请公布日期 |
1991.11.29 |
| 申请号 |
FR19900011855 |
申请日期 |
1990.09.26 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD |
发明人 |
KIM YONG-HYEON |
| 分类号 |
G03F1/29;G03F1/68;H01L21/00;H01L21/027 |
主分类号 |
G03F1/29 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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