| 摘要 |
Selon un mode de réalisation de cette invention, un dispositif à MOS complémentaire (CMOS) (32) inverse un signal d'entrée et entre ce signal inversé dans la base d'un transistor bipolaire n-p-n (Q3) dont le collecteur est couplé à une tension positive d'alimentation de courant. Le signal d'entrée couplé à l'entrée du dispositif CMOS est aussi couplé à la porte d'un large MOSFET (Q4) à canal-N dont le drain est couplé à l'émetteur du transistor bipolaire et dont la source est couplée à la terre. Le noeud commun (36) du transistor bipolaire et du MOSFET à canal-N fournit le signal de sortie de l'unité de commande. L'unité de commande utilise bien moins de surface qu'une unité de commande de BicMOS classique à deux transistors bipolaires, mais avec des performances pratiquement égales. |
