发明名称 FAULT MASKING IN SEMICONDUCTOR MEMORIES.
摘要 Une mémoire à accès sélectif, adressable par ligne et colonne, est adressée par une source d'adresses binaires définissant un espace d'adresses linéaire via les décodeurs de lignes et de colonnes sensibles à des groupes respectifs de bits de la source d'adresse pour adresser respectivement des lignes et colonnes individuelles de la mémoire. Les bits sont permutés entre la source d'adresse et les décodeurs de sorte qu'au moins les bits de poids fort de la source d'adresse soient appliqués en alternance à des décodeurs de ligne et de colonne. L'accès à la mémoire se fait ainsi dans des blocs rectangulaires appelés carreaux, qui, en raison de l'imbrication des bits, sont disposés en une configuration à carreaux se décalant en alternance dans le sens des lignes et dans le sens des colonnes.
申请公布号 EP0457819(A1) 申请公布日期 1991.11.27
申请号 EP19900903208 申请日期 1990.02.13
申请人 ANAMARTIC LIMITED 发明人 OLDAY, STEPHEN, CHARLES ANAMARTIC LIMITED;NEISH, GORDON, BLAIR ANAMARTIC LIMITED
分类号 G06F11/00;G11C29/00 主分类号 G06F11/00
代理机构 代理人
主权项
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