发明名称 PATTERNING METHOD FOR EPITAXIAL LIFT-OFF PROCESSING
摘要 <p>Dans la fabrication de dispositifs micro-électroniques, opto-électroniques et photoniques, on utilise des procédés qui consistent à soumettre les matériaux à un traitement sélectif en présence d'une couche de masquage à motifs, un tel traitement sélectif pouvant par exemple inclure une attaque. Généralement, le matériau de la couche de masquage est choisi sur la base de sa réactivité à des rayonnements appropriés, ce qui permet la formation de motifs par exposition sélective à des rayonnements suivie par un enlèvement sélectif du matériau de la couche de masquage. Toutefois, dans la technique d'effacement de couches épitaxiales par enlèvement, le matériau (2, 3) à traiter peut être recouvert d'une couche de support (4) d'un matériau qui est choisi en fonction de propriétés mécaniques et thermiques désirées et qui n'est pas susceptible d'être soumis à un traitement de formation de motifs par rayonnements. L'invention décrit un procédé qui permet la formation de motifs sur une telle couche par des moyens mécaniques chauffés (5, 9), tels que notamment un stylet ou un rouleau chauffés.</p>
申请公布号 WO9117565(A1) 申请公布日期 1991.11.14
申请号 WO1991US00729 申请日期 1991.02.04
申请人 BELL COMMUNICATIONS RESEARCH, INC. 发明人 GMITTER, THOMAS, JOHN;YABLONOVITCH, ELI
分类号 H01L21/302;H01L21/20;H01L21/306 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
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