TUNGSTEN DISILICIDE CVD

摘要

On dépose des films de disiliciure de tungstène (WSIx) sur du polysilicium dopé ou non dopé en réduisant le composé WF6 au moyen d'un mélange de dichlorosilane (SiH2Cl2) et disilane (Si2H6). L'addition de disilane permet d'obtenir un mécanisme augmentant la résistivité (rapport silicium/tungstène) du film (fig. 1) sans produire d'effets négatifs sur l'uniformité (fig. 2) ou la vitesse de déposition du film (fig. 3). Un rapport silicium/tungstène élevé empêche la dégradation du film de siliciure et du film de polysilicium sous-jacent pendant la croissance ultérieure d'un diélectrique d'oxyde (SiO2). Le silicium excédentaire contenu dans le film permet également d'obtenir des caractéristiques d'attaque et de recuit souhaitables.