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经营范围
发明名称
FORMATION OF DISTORTED FIELD ON SILICON WAFER
摘要
申请公布号
JPH03255634(A)
申请公布日期
1991.11.14
申请号
JP19900054085
申请日期
1990.03.05
申请人
NEC CORP
发明人
KUSUMI YOSUKE
分类号
H01L21/322
主分类号
H01L21/322
代理机构
代理人
主权项
地址
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